СТРУКТУРА МОС-ГИДРИДНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ AlxGayIn1–x–yAszP1–z

Pavel V. Seredin; Anton V. Glotov; Evelina P. Domashevskaya; Ivan N. Arsentyev

Authors

Pavel V. Seredin PhD (physical and mathematical science), senior staff scientist, solid state physic and nanostructures department, Voronezh State University; e-mail: paul@phys.vsu.ru
Anton V. Glotov post graduate student, solid state physic and nanostructures department, Voronezh State University
Evelina P. Domashevskaya grand PhD (physical and mathematical science), professor, chief of solid state physic and nanostructures department, Voronezh State University; e-mail: ftt@phys.vsu.ru
Ivan N. Arsentyev grand PhD (technical sciences), professor, Ioffe Physical and Technical Institute; e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru

Keywords:

твердые растворы, наноразмерные неоднородности, AlxGayIn1–x–yAszP1–z.

Abstract

В работе исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1–x–yAszP1–z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методом рентгеновской дифракции показано, что в пятикомпонентном твердом растворе может возникать структурная неоднородность. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что неоднородность является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1–x–yAszP1–z.