STRUCTURAL INVESTIGATIONS OF AlxGayIn1-x-yAszP1-z SOLID SOLUTIONS
Abstract
В работе исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1–x–yAszP1–z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методом рентгеновской дифракции показано, что в пятикомпонентном твердом растворе может возникать структурная неоднородность. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что неоднородность является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1–x–yAszP1–z.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Stroppa А., Peressi M. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205303.
2. Кузнецов В. В., Лунин Л. С., Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV. Ростов н/Д: Изд.-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.
3. High performance materials and processing technology for uncooled 1.3 μm laser diodes. Roberta Campi Doctoral Thesis. Royal Institute of Technology, (KTH), Stockholm
4. 3-D Projection full color multimedia display WIPO. Patent Application WO/2007/127269.
5. Systems and Methods for CMOS-Compatible Silicon Nano-Wire Sensors with Biochemical and Cellular Interface. US Patent Application 20100297608.
6. Glas F., Treacy M. M. J., Quillec M., et al. // J. Physique C5. 1982. V. 43. P. 11—16.
7. Домашевская Э. П., Гордиенко Н. Н., Румянцева Н. А. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 9. С. 1086—1093.
8. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 38. № 4. P. 828—832.
9. Домашевская Э. П., Середин П. В., Битюцкая Л. А. и др. // Поверхность: Рентгеновские и синхротронные спектры. 2008. № 2. С. 62—65.
10. Герман М. А. Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ. Всесоюзный центр переводов. 1987. 291 с.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. № 9. P. 1054—1062.
12. Adachi S. Physical properties of III-V semiconductor compounds. Wiley, 1992.
13. John E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth, and characterization. Taylor & Francis Group, LLC, 2007.
14. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A.V., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Ipatova I. P., Shchukin V. A., Bert N. A., Sitnikova A. A. Spontaneously assembling periodic composition-modulated InGaAsP structures, Semiconductors, 33, 9, 1010—1012, (1999).
15. Mukai S. Photoluminescent and electrical properties of InGaPAs mixed crystals liquid-phase-epitaxially grown on (100) GaAs. J.Appl.Phys., 54, 5, 2635, (1983).
16. Lamberti C. Surface Science Reports, 53, (2004).
17. Vegard’s law and superstructural phases in AlxGa1–xAs/GaAs (100) epitaxial heterostructures / E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, E. A. Dolgopolova,
I. E. Zanin, I. N. Arsent’ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich and I. S. Semiconductors, 39, 3, 336—342, (2005).
18. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
2. Кузнецов В. В., Лунин Л. С., Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV. Ростов н/Д: Изд.-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.
3. High performance materials and processing technology for uncooled 1.3 μm laser diodes. Roberta Campi Doctoral Thesis. Royal Institute of Technology, (KTH), Stockholm
4. 3-D Projection full color multimedia display WIPO. Patent Application WO/2007/127269.
5. Systems and Methods for CMOS-Compatible Silicon Nano-Wire Sensors with Biochemical and Cellular Interface. US Patent Application 20100297608.
6. Glas F., Treacy M. M. J., Quillec M., et al. // J. Physique C5. 1982. V. 43. P. 11—16.
7. Домашевская Э. П., Гордиенко Н. Н., Румянцева Н. А. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 9. С. 1086—1093.
8. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 38. № 4. P. 828—832.
9. Домашевская Э. П., Середин П. В., Битюцкая Л. А. и др. // Поверхность: Рентгеновские и синхротронные спектры. 2008. № 2. С. 62—65.
10. Герман М. А. Полупроводниковые сверхрешетки. Пер. с англ. Всесоюзный центр переводов. 1987. 291 с.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. № 9. P. 1054—1062.
12. Adachi S. Physical properties of III-V semiconductor compounds. Wiley, 1992.
13. John E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth, and characterization. Taylor & Francis Group, LLC, 2007.
14. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A.V., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Ipatova I. P., Shchukin V. A., Bert N. A., Sitnikova A. A. Spontaneously assembling periodic composition-modulated InGaAsP structures, Semiconductors, 33, 9, 1010—1012, (1999).
15. Mukai S. Photoluminescent and electrical properties of InGaPAs mixed crystals liquid-phase-epitaxially grown on (100) GaAs. J.Appl.Phys., 54, 5, 2635, (1983).
16. Lamberti C. Surface Science Reports, 53, (2004).
17. Vegard’s law and superstructural phases in AlxGa1–xAs/GaAs (100) epitaxial heterostructures / E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, E. A. Dolgopolova,
I. E. Zanin, I. N. Arsent’ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich and I. S. Semiconductors, 39, 3, 336—342, (2005).
18. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
Published
2012-03-01
How to Cite
Seredin, P. V., Glotov, A. V., Domashevskaya, E. P., & Arsentyev, I. N. (2012). STRUCTURAL INVESTIGATIONS OF AlxGayIn1-x-yAszP1-z SOLID SOLUTIONS. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 14(1), 84-89. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/951
Issue
Section
Статьи
