КИНЕТИКА ФОРМИРОВАНИЯ ОКСИДОВ Cu(I) И Cu(II) НА МЕДИ В ЩЕЛОЧНОМ РАСТВОРЕ И ОСОБЕННОСТИ ИХ ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ. ЧАСТЬ III. ФОТОТОК
Ключевые слова:
медь, анодное окисление, фототок, спектроскопия фототока.Аннотация
С использованием методики синхронного получения транзиентов тока и фототока (режим потенциостатической и потенциодинамической поляризации), а также спектроскопии фототока исследовано анодное формирование и некоторые полупроводниковые свойства оксидов Cu(I) и Cu(II) на поликристаллической меди в деаэрированном щелочном растворе.
Подтверждено, что оксиды меди Cu2O и СuO, возникающие на меди при анодной поляризации, являются полупроводниками р-типа. Начальный этап окисления меди характеризуется возникновением промежуточного соединения Cu(I), возможно CuOH, обладающего n-типом проводимости. Пленка оксида Cu(I) является тонкой (ее толщина не превышает протяженность области пространственного заряда полупроводника) и характеризуется шириной запрещенной зоны 2,2 эВ для непрямых оптических переходов. Анодная поляризация в области потенциалов формирования CuO приводит к образованию более толстой оксидной пленки, представляющей
смесь оксидов Cu(I) и Cu(II).
