ДОМЕННЫЙ ВКЛАД В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА И СЕГНЕТОВОЙ СОЛИ

Аннотация

Исследованы диэлектрические свойства кристаллов номинально чистого ТГС, дейтерированного ТГС, ТГС с примесью L,α – аланина, ТГС с примесью ионов фосфора Р5+, ТГС, подвергнутого рентгеновскому облучению; кристалла сегнетовой соли. Получены температурные зависимости доменных компонент действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости, измеренных в слабом переменном электрическом поле. Существование в бездефектных кристаллах группы ТГС подвижной доменной структуры не приводит к отклонению от термодинамического закона Кюри – Вейсса в сегнетоэлектрической фазе, но вызывает нарушение «закона двойки». В кристаллах ТГС с примесными или радиационными дефектами, закрепляющими доменную структуру, хорошо выполняются оба закона. Для исследованных кристаллов группы ТГС вблизи точки фазового перехода отсутствует количественное совпадение между температурным поведением статических геометрических параметров доменной структуры (плотность N и полная длина L доменных границ) и измеряемых диэлектрических характеристик. Число термических циклов нагревания – охлаждения с переходом через точку Кюри практически не влияет на величину доменной составляющей диэлектрической проницаемостив кристаллах ТГС, а увеличение скорости прохождения фазового перехода приводит к ее заметному понижению. В кристалле сегнетовой соли доменная часть диэлектрической проницаемости вблизи нижнего фазового перехода заметно меньше чем вблизи верхнего, но занимает более широкий температурный интервал.