ХОЛОДНЫЙ СИНТЕЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ В КОЛЛОИДНОЙ НАНОСИСТЕМЕ SiO2-УНТ

Авторы

  • Dmitry A. Zhukalin
  • Andrey V. Tuchin
  • Dmitry L. Goloshchapov
  • Larisa A. Bityutskaya
  • Frank Roessner

Ключевые слова:

наносистема, углеродные нанотрубки, оксикарбид кремния, електронная структура, функционал плотности, заряд, нанокомпозит, карбид кремния.

Аннотация

Цель работы заключалась в исследовании взаимодействия наноразмерных ком-
понентов: аморфного диоксида кремния SiO2 со средним размером частиц 7 нм и массива
коротких УНТ со средним диаметром 20—40 нм, полученных электродуговым методом. Из-
учая взаимодействие наноматериалов в коллоидной наносистеме SiO2-УНТ при комнатной
температуре, в высыхающей капле (нанореакторе) обнаружено, что при длине трубок менее
0.5 мкм образуются 2 типа структур: сферические агрегаты с диаметром ~2 мкм и самоорга-
низованные стержневые гибридные структуры диаметром 250—300 нм и длиной ~4 мкм.
Теоретически доказано, что механизм формирования подобного рода структур обусловлен
наличием в закрытых коротких трубках заряженного интерфейса вблизи границы шапка/остов
УНТ, повышающего их реакционную способность. Формирование стержневых структур об-
условлено ковалентным взаимодействием, сферических агрегатов — взаимодействием Ван-
дер-ваальса. Формирование и синтез новых структур в наносистеме SiO2-УНТ подтвердились
результатами DLS анализа в коллоидных взвесях и ИК-спектроскопией порошкообразных
образцов аэросила без и с УНТ. Методом DLS было обнаружено, что добавление УНТ при-
вело к уменьшению размера исходных глобул, а анализ ИК-спектров выявил перераспределе-
ние интенсивностей и асимметрию мод колебаний. Проведенный дифракционный анализ
полученных наноструктур выявил формирование нанофазы карбида кремния. Таким образом,
в коллоидной наносистеме SiO2-УНТ проведен холодный синтез карбида кремния.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Биографии авторов

  • Dmitry A. Zhukalin

    Жукалин Дмитрий Алексеевич — аспирант кафедры
    физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (951)568525, e-mail: d.zhukalin@mail.ru

  • Andrey V. Tuchin

    Тучин Андрей Витальевич — аспирант кафедры физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (908)1485775, e-mail: a.tuchin@bk.ru

  • Dmitry L. Goloshchapov

    Голощапов Дмитрий Леонидович — к. ф.-м. н., ведущий инженер кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (905) 0531234, e-mail: goloshchapovdl@
    gmail.com

  • Larisa A. Bityutskaya

    Битюцкая Лариса Александровна — к. х. н., доцент
    кафедры физики полупроводников и микроэлектроники,
    Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru

  • Frank Roessner

    Ресснер Франк — д. х. н., профессор кафедры технической химии, Ольденбургский университет имени
    Карла фон Осецкого; тел.: +49 (441) 7983355, e-mail:frank.roessner@uni-oldenburg.de

Библиографические ссылки

Опубликован

2014-12-25

Выпуск

Раздел

Статьи

Как цитировать

ХОЛОДНЫЙ СИНТЕЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ В КОЛЛОИДНОЙ НАНОСИСТЕМЕ SiO2-УНТ. (2014). Конденсированные среды и межфазные границы, 16(4), 431-438. https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/857

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

<< < 1 2 3