ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА НА СОСТАВ И СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК Cu-Zn-Sn-S, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОДНОСТАДИЙНОГО ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЯ

Vladimir V.  Rakitin; Mikhail V. Gapanovich; Gennadii F. Novikov; Pavel A. Mikhailov; Igor A. Domashnev; Alexandra M. Kolesnikova

Авторы

Vladimir V. Rakitin Ракитин Владимир Валерьевич — аспирант, инженер- исследователь, Институт проблем химической физики РАН; тел.: (49652) 21793, e-mail: domi-tyan@yandex.ru
Mikhail V. Gapanovich Гапанович Михаил Вячеславович — к. х. н., научный сотрудник, Институт проблем химической физики РАН; тел.: (49652) 21842, e-mail: gmw@icp.ac.ru
Gennadii F. Novikov Новиков Геннадий Фёдорович — д. ф.-м. н., профессор, заведующий лабораторией, Институт проблем химической физики РАН; тел.: (49652) 21842, e-mail: ngf@icp.ac.ru
Pavel A. Mikhailov Михайлов Павел Александрович — студент, факуль- тет фундаментальной физико-химической инженерии МГ У им. М. В. Ломоносова; e-mail: hasabukaka@aol.com
Igor A. Domashnev Домашнев Игорь Анатольевич — к. ф-м. н., заведу- ющий отделом, Институт проблем химической физики РАН; тел.: (49652) 21375, e-mail: dia@icp.ac.ru
Alexandra M. Kolesnikova Колесникова Александра Михайловна — к. х. н., старший научный сотрудник, Институт проблем химической физики РАН; тел.: (49652) 21887, e-mail: k313@ icp.ac.ru

Ключевые слова:

тонкие пленки CZTS, одностадийное электроосаждение, ширина запрещенной зоны.

Аннотация

Исследовано влияние условий одностадийного электроосаждения из буферных растворов на фазовый состав и свойства тонких пленок Cu-Zn-Sn-S (CZTS). Определена область потенциалов осаждения для CZTS с минимальным содержанием вторичных фаз: E == –1022 mV для Na3Cit+H2Tart раствора, и диапазон Е от –1090 до –1140 mV для Na3Cit+H3Cit раствора. Установлены брутто-формулы и значения ширины запрещенной зоны для образцов CZTS, осажденных из буферных растворов: Cu0,93Zn0,14Sn1,86S4 (Eg = 1.50 эВ) для цитрат-тартратного раствора и Cu1,19Zn0,04Sn1,96S4 (Eg = 1.60 эВ) для цитратного раствора.