MEMRISTOR EFFECT IN TIN-OXIDE BASED SANDWICH-STRUCTURE
Abstract
Методом контролируемого термического окисления слоев металлического олова получены тонкие пленки нестехиометрического оксида олова. На его основе изготовлены планарная структура Pt-SnO2–x-Pt и сэндвич-структура Si-SnO2–x-Au-. Вольт-амперные характеристики планарной структуры Pt-SnO2–x-Pt имеют гистерезис на частотах тестового сигнала ниже 10 Гц, который обусловлен подвижностью кислородных вакансий в SnO2–x. При поляризации сэндвич-структуры Si-SnO2–x-Au обнаружен мемристорный эффект. Изучены временная устойчивость мемристорного эффекта и его обратимость.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Pershin Y. V., Ventra M. D. // Advances in Physics. 2011. V. 60. № 2. P. 145.
2. Ярмаркин В. К, Шульман С. Г., Леманов В. В // ФТТ. 2008. Т. 50. В.10. С. 1767.
3. Jeong D. S., Schroeder H., Waser R. // Phys. Rev. 2009. V. 79. P. 195317.
4. Pickett M. D., Strukov D. B., Borghetti J. L., et al. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. P. 074508.
5. Strukov D. B., Borghetti J. L., Williams R. S. // Small. 2009. V. 5. № 9. P. 1058.
6. Wua J., McCreery R. L. // J. Electrochem. Soc. 2009. V. 156 (1). P. 29.
7. Jo S. H., Chang T., Ebong I., et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 1297.
8. Sah M. Pd., Yang C., Kim H., et al. // Sensors. 2012. V. 12. P. 3587.
9. Song J., Zhang Y., Xu C., et al. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 2829.
10. Рябцев С. В., Чувенкова О. А., Попов А. Е. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2012. Т. 14. № 3. С. 328 -333.
11. Рябцев С. В. Дисс. д.ф-м.н. Воронеж, 2011. 273 с.
12. Strukov D. B., Snider G. S, Stewart D. R., et al. // Nature. 2008. V. 453. Р. 80.
2. Ярмаркин В. К, Шульман С. Г., Леманов В. В // ФТТ. 2008. Т. 50. В.10. С. 1767.
3. Jeong D. S., Schroeder H., Waser R. // Phys. Rev. 2009. V. 79. P. 195317.
4. Pickett M. D., Strukov D. B., Borghetti J. L., et al. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. P. 074508.
5. Strukov D. B., Borghetti J. L., Williams R. S. // Small. 2009. V. 5. № 9. P. 1058.
6. Wua J., McCreery R. L. // J. Electrochem. Soc. 2009. V. 156 (1). P. 29.
7. Jo S. H., Chang T., Ebong I., et al. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 1297.
8. Sah M. Pd., Yang C., Kim H., et al. // Sensors. 2012. V. 12. P. 3587.
9. Song J., Zhang Y., Xu C., et al. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 2829.
10. Рябцев С. В., Чувенкова О. А., Попов А. Е. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2012. Т. 14. № 3. С. 328 -333.
11. Рябцев С. В. Дисс. д.ф-м.н. Воронеж, 2011. 273 с.
12. Strukov D. B., Snider G. S, Stewart D. R., et al. // Nature. 2008. V. 453. Р. 80.
Published
2012-12-20
How to Cite
Ryabtsev, S. V., PopovA. Е., Chernyshov, F. M., Ryabtseva, N. S., & Domashevskaya, E. P. (2012). MEMRISTOR EFFECT IN TIN-OXIDE BASED SANDWICH-STRUCTURE. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 14(4), 456-459. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1005
Issue
Section
Статьи
