TRANSIT AND CATALYTIC OXIDATION OF SEMICONDUCTORS AIIIBV WITH DEPOSITED NANOSCALE LAYERS OF COBALT AND VANADIUM OXIDES OF DIFFERENT THICKNESSES

  • Boris V. Sladkopevtcev the post-graduate student; Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (905) 6505334, email: sladkopevtcev@km.ru
  • Alexander A. Lapenko engineer, Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu. ru
  • Alexei A. Samsonov assistant, Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu. ru
  • Elena V. Tomina professor assistant, Science of materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@ chem.vsu.ru
  • Irina Ya. Mittova doctor of chemical sciences, professor; Science of Materials and industry of nanosystems Department, Voronezh State University; tel.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru

Abstract

Установлено влияние количества нанесенного на поверхность AIIIBV хемостимулятора на процесс окисления полупроводника при развитии транзитного, либо каталитического воздействия хемостимулятора. При реализации транзитного взаимодействия слой нанесенного оксида d-металла практически необратимо расходуется в процессе окисления. При уменьшении толщины слоя оксида-транзитора на поверхности полупроводника быстрее происходит его полная трансформация в продукты вторичного взаимодействия. В случае каталитического механизма окисления количество нанесенного хемостимулятора заметно не влияет на кинетические параметры процесса, что связано с быстрой регенерацией высокой степени окисления активного элемента хемостимулятора.

Downloads

Download data is not yet available.

References

1. Угай Я.А., Миттова И.Я. / Ведущие научно-педагогические коллективы. Отв. Ред. А.С. Сидоркин. Воронеж: Воронежский государственный университет, 2003. С. 335—351.
2. Чоркендорф И., Наймантсведрайт Х. Современный катализ и химическая кинетика. Долгопрудный: Интеллект, 2010. 504 с.
3. Крылов О.В., Шуб Б.Р. Неравновесные процессы в катализе. М.: Химия, 1990. 284 с.
4. Миттова И.Я. // Вестник ВГУ. Серия: Химия, биология. 2000. № 2. С. 5—12.
5. Wilmsen C.W. // Thin solid films. 1976. V. 30. № 1—2—3. P. 105—117.
6. Миттова И.Я. Борзакова Г.В., Терехов В.А. и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганич. материалы. 1991. Т. 27. № 10. С. 2047—2051.
7. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р. // Успехи химии. 1991. Т.60. Вып. 9. С. 1898—1919.
8. Третьяков Ю.Д., Путляев В.И. Введение в химию твердофазных материалов. М.: Изд-во МГУ, 2006. С. 400.
9. Накамото К. ИК спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений. Под ред. Ю.А. Пентина. М.: Мир, 1991. 335 с.
10. Каталог 1997—2010 by JCPDS — International Centre for Diffraction Data.
11. Томина Е.В., Миттова И.Я., Сухочев А.С. и др. // Физика и химия стекла. 2010. Том 36. № 2. С. 297—306.
12. Миттова И.Я., Томина Е.В., Лапенко А.А. // Вестник ВГУ. Серия: Химия. Биология. Фармация. 2005. № 1. С. 61—65.
13. Лапенко А.А., Лисицын С.В., Томина Е.В. и др. // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 11. C. 1293—1299.
14. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р. // Докл. АН СССР. 1991. Т. 318. № 1. С. 139—143.
Published
2010-09-30
How to Cite
Sladkopevtcev, B. V., Lapenko, A. A., Samsonov, A. A., Tomina, E. V., & Mittova, I. Y. (2010). TRANSIT AND CATALYTIC OXIDATION OF SEMICONDUCTORS AIIIBV WITH DEPOSITED NANOSCALE LAYERS OF COBALT AND VANADIUM OXIDES OF DIFFERENT THICKNESSES. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 12(3), 268-275. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1124
Issue
Vol 12 No 3 (2010)
Section
Статьи