THE PROPERTIES OF SEMICONDUCTING COPPER OXIDES FORMED ON Cu-Au ALLOYS Text (PDF)

  • Svetlana N. Grushevskaya Cand. Sci. (Chem.), Associate Professor, Department of Physical Chemistry, Voronezh State University; tel.: (473) 2208538, e-mail: sg@ chem.vsu.ru
  • Dmitry S. Eliseev postgraduate student, Chemical Faculty, Voronezh State University; tel.: (473) 2208538, e-mail: ximik001@yandex.ru
  • Sergey V. Ganzha postgraduate student, Chemical Faculty, Voronezh State University; tel.: (473) 2208538, e-mail: ganzhaser@nm.ru
  • Alexander V. Vvedenskii Dr. Sci. (Chem.), Professor, Head of the Department of Physical Chemistry, Voronezh State University; tel.: (473) 2208538, e-mail: alvved@chem. vsu.ru

Abstract

Методами хроноамперометрии с синхронной регистрацией фототока, хронопотенциометрии с синхронной регистрацией фотопотенциала в режиме открытой цепи, УФ‑ спектроскопии фототока, а также сканирующей электронной микроскопии исследовано
анодное и коррозионное формирование оксидов меди на поликристаллических Cu, Au-сплавах (4 и 15 ат.% Au) в деаэрированном растворе 0.1 M KOH.
Обнаружено, что оксиды Cu (I) и Cu (II ) на сплавах Cu-Au характеризуются p-типом проводимости вследствие преобладания акцепторных дефектов, концентрация которых снижена по сравнению с оксидами, сформированными на меди. Протяженность области пространственного заряда и потенциал плоских зон практически не зависят от химического состава электрода. Ширина запрещенной зоны оксида Cu (I) составляет 2.2 эВ для непрямых оптических переходов независимо от концентрации золота в сплаве.

Downloads

Download data is not yet available.

References

1. Kapusta S., Hackerman N. // Electrochim. Acta. 1980. V. 25. № 8. P. 1001.
2. McAleer J.F., Peter L. M. // Farad. Discuss. Chem. Soc. 1980. V. 70. P. 67.
3. Collisi U., Strehblow H. — H. // J. Electroanal. Chem. 1990. V. 284, № 2. P. 385.
4. Vvedenskii А., Grushevskaya S., Kudryashov D. et al. // Corr. Sci. 2007. V. 49. № 12. P. 4523.
5. Vvedenskii A., Grushevskaya S., Kudryashov D. et al. // J. Solid State Electrochem. 2010. V. 14. № 8. P. 1401.
6. Кудряшов Д. А., Грушевская С. Н., Ганжа С. В. и др. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2009. Т. 45. № 5. С. 451.
7. Кудряшов Д. А., Грушевская С. Н., Олалекан О и др. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2010. Т. 46. № 1. С. 28.
8. Волков А. И., Жарский А. И. Большой химический справочник. Минск: Современная школа, 2005. 608 с.
9. Collisi U., Strehblow H.-H. // J. Electroanal. Chem. 1986. V. 210. № 2. P. 213.
10. Strehblow H.-H., Maurice V., Marcus P. // Electrochim. Acta. 2001. V. 46. № 24—25. P. 3755.
11. Ганжа С. В., Кухарева Н. В., Грушевская С. Н. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 42.
12. Ганжа С. В., Максимова С. Н., Грушевская С. Н. и др. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2011. Т. 47. № 2. С. 164.
13. Ганжа С. В., Максимова С. Н., Грушевская С. Н. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 2. С. 101.
14. Di Quarto F., Piazza S., Sunseri C. // Electrochim. Acta. 1985. V. 30. № 3. P. 315.
15. Aruchamy A., Fujishima A. // J. Electroanal. Chem. and Interf. Electrochem. 1989. V. 272. № 1—2. P. 125.
16. Survila A., Surviliene A., Kanapeckaite S. et al. // J. Electroanal. Chem. 2005. V. 582. № 1—2. P. 221.
17. Wilhelm S. M., Tanizawa Y., Chang-Yi L. et al. // Corr. Sci. 1982. № 8. V. 22. P. 791.
18. Chaudhary Y. S., Argaval A., Shrivastav R. et al. // Int. J. Hydrogen Energy. 2004. V. 29. № 2. P. 131.
19. Babic R., Metikos-Hukovic M., Jukic A. // J. Electrochem. Soc. 2001. V. 148. № 4. P. B146.
20. Nakaoka K., Ueyama J., Ogura K. // J. Elchem. Soc. 2004. V. 151. № 10. P. C661.
21. Mizuno K., Izaki M., Murase K. et al. // J. Electrochem. Soc. 2005. V. 152. № 4. P. C179.
22. Введенский А. В., Стекольников Ю. А., Бондаренко Г. Н. и. др. // Защита металлов. 1984. Т. 20. № 2. С. 232.
23. De Jongh P. E., Vanmaekelbergh D., Kelly J. J. // J. Electrochem. Soc. 2000. V. 147. № 2. P. 486.
24. Joseph S., Kamath P. V. // J. Electrochem. Soc. 2009. № 10. V. 156. P. E143.
25. Гамбург Ю. Д. Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов. М.: Янус-К, 1997. 384 с.
26. Engel C. J., Polson T. A., Spado J. R. et al. // J. Electrochem. Soc. 2008. V. 155. № 3. P. F37.
27. Park Y.— W., Seong N.— J., Jung H.— J. et al. // J. Electrochem. Soc. 2010. V. 157. № 6. P. K119.
Published
2013-09-27
How to Cite
Grushevskaya, S. N., Eliseev, D. S., Ganzha, S. V., & Vvedenskii, A. V. (2013). THE PROPERTIES OF SEMICONDUCTING COPPER OXIDES FORMED ON Cu-Au ALLOYS Text (PDF). Condensed Matter and Interphases, 15(3), 253-265. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/905
Section
Статьи