ЭВОЛЮЦИЯ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ ПОВЕРХНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ДИСПЕРГИРОВАНИИ

  • Natalia V. Zakharova Захарова Наталия Владимировна — к.х.н., доцент, кафедра химической нанотехнологии материалов и из- делий электронной техники, Санкт-Петербургский го- сударственный технологический институт (Технический университет); тел.: (812) 4949359, e-mail: zakharova@ lti-gti.ru
  • Maxim M. Sychov Сычев Максим Максимович — к.х.н., доцент, заведующий кафедрой теоретических основ материалове- дения, Санкт-Петербургский государственный техноло- гический институт (Технический университет); тел.: (812) 4949397, e-mail: msychov@yahoo.com
  • Vladimir G. Korsakov Корсаков Владимир Георгиевич — д.х.н., профессор, кафедра химической нанотехнологии материалов и из- делий электронной техники, Санкт-Петербургский го- сударственный технологический институт (Технический университет); тел.: (812) 4949359, e-mail: vg_korsakov@ mail.ru
  • Sergey V. Mjakin Мякин Сергей Владимирович — к.х.н., научный сотрудник, кафедра теоретических основ материаловеде- ния, Санкт-Петербургский государственный технологи- ческий институт (Технический университет); тел.: (812) 4949324, е-mail: sergey_mjakin@mail.ru
Ключевые слова: сегнетоэлектрики, диспергирование, донорно-акцепторные центры поверхности.

Аннотация

Методом адсорбции кислотно-основных индикаторов с рKа в интервале от –5 до 15 изучено изменение распределения донорно-акцепторных центров на поверхности сегнетоэлектриков состава BaTiO3 — CaSnO3 в процессе диспергирования в присутствии ПАВ.
Корреляционный анализ показал, что диспергирование приводит к образованию пар кислотных (pKa ~7 — ΔpKa) и основных (pKa ~7 + ΔpKa) бренстедовских центров с величинами pKa ~7.0, смещенными относительно нейтральной точки pKa ~7.0 на одинаковую величину ΔpKa и характеризующихся симбатным изменением концентрации в зависимости от времени диспергирования. Кроме того, установлено взаимное превращение (трансмутация) льюисовских основных (pKa ~ –0.9) и бренстедовских кислотных (pKa ~0.8) центров в процессе диспергирования. В целом показано, что селективная адсорбция кислотно-основных индикаторов является высокочувствительным методом анализа структурных дефектов, образующихся на поверхности дисперсных материалов в процессе механохимической обработки.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Танабе К. Твердые кислоты и основания. М.: Мир, 1973. 156 с.
2. Либрович Н.Б. // Химическая физика. 1992. Т. 11. № 5. С. 627—631.
3. Иванов В.М., Мамедова А.М. // Вестник Московского Университета. Химия. 2002. Т. 43. № 3. С. 167—171.
4. Нечипоренко А.П., Буренина Т.А., Кольцов С.И. // Журн. общей химии. 1985. Т. 55. № 9. С. 1907—1912.
5. Sychov M.M., Bakhmet’ev V.V., Nakanishi Y., et al. // J. SID. 2003. V. 11. № 1. P. 33—38.
6. Sychov M.M., Mjakin S.V., Nakanishi Y., et al. // Appl. Surf. Sci. 2005. V. 244. № 1—4. P. 461—464.
7. Черемисина О.А., Сычев М.М., Мякин С.В. и др. // Журн. физической химии. 2002. Т. 76. № 9. С. 1625—1628.
8. Sychov M.M., Bakhmet’ev V.V., Mjakin S.V., et al. // Electronics Information Display Conf., Nagasaki, 2002. P. 67—71.
9. Васильева И.В., Мякин С.В., Рылова Е.В., Корсаков В.Г. // Журн. физической химии. 2002. Т. 76. № 1. С. 92—97.
10. Электронно-лучевое модифицирование функциональных материалов. / Под ред. С.В. Мякина и др. СПб.: ПГУПС, 2006. 104 с.
11. Алексеев С.А., Корсаков В.Г., Сычев М.М. и др. // Журн. физической химии. 2006. Т. 80. № 4. С. 700—703.
Опубликован
2011-03-10
Как цитировать
Zakharova, N. V., Sychov, M. M., Korsakov, V. G., & Mjakin, S. V. (2011). ЭВОЛЮЦИЯ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ЦЕНТРОВ ПОВЕРХНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ДИСПЕРГИРОВАНИИ. Конденсированные среды и межфазные границы, 13(1), 56-62. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1021
Раздел
Статьи