СТРУКТУРНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ GaxIn1–xAsyP1–y ВСЛЕДСТВИЕ СПИНОДАЛЬНОГО РАСПАДА
Ключевые слова:
твердые растворы, спинодальный распад, In1–xGaxAsyP1–y.
Аннотация
Методами рентгеноструктурного анализа и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность возникновения неоднородностей в жидкофазных эпитаксиальных гетероструктурах, возникающих в результате спинодального распада «погруженного» четверного твердого раствора In1–xGaxAsyP1–y по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Pearsall T. P. GaInAsP alloy semiconductors. New York, Wiley, 1982.
2. Yamamoto T., Sakai K., Akiba S., et al. // IEEE J.Quantum Electron. 1978. V. 14. P. 95.
3. Nelson R. J. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35. № 9. P. 654.
4. Bert N. A., Gorelenok A. T., Dzigasov A. G., et al. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 52. P. 716.
5. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A. V., et al. // Semiconductors. 1999. V. 33. № 9. P. 1010—1012.
6. Mukai S. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. № 5. P. 2635.
7. Knauer A., Erbert G., Gramlich S., et al. // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. № 11. P. 1655.
8. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1055—1061.
9. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. P. 4.
10. Goldberg Yu.A. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur. World Scientifi c, London, 1999.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. №. 9. P. 1054—1062.
12. Lamberti C. Surface Science Reports. 2004. P. 53.
13. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova E. A., et al. // Semiconductors. 2005. V. 39. № 3. P. 336—342.
14. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
2. Yamamoto T., Sakai K., Akiba S., et al. // IEEE J.Quantum Electron. 1978. V. 14. P. 95.
3. Nelson R. J. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35. № 9. P. 654.
4. Bert N. A., Gorelenok A. T., Dzigasov A. G., et al. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 52. P. 716.
5. Vavilova L. S., Kapitonov V. A., Murashova A. V., et al. // Semiconductors. 1999. V. 33. № 9. P. 1010—1012.
6. Mukai S. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. № 5. P. 2635.
7. Knauer A., Erbert G., Gramlich S., et al. // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. № 11. P. 1655.
8. Seredin P. V., Domashevskaya É. P., Lukin A. N., et al. // Semiconductors. 2008. V. 42. № 9. P. 1055—1061.
9. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. V. 8. P. 4.
10. Goldberg Yu.A. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur. World Scientifi c, London, 1999.
11. Alperovich V. L., Bolkhovityanov Yu. B., Chikichev S. I., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. №. 9. P. 1054—1062.
12. Lamberti C. Surface Science Reports. 2004. P. 53.
13. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova E. A., et al. // Semiconductors. 2005. V. 39. № 3. P. 336—342.
14. Середин П. В. Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
Опубликован
2011-09-25
Как цитировать
Seredin, P. V., Ternovaya, V. E., Glotov, A. V., Domashevskaya, E. P., & Arsentyev, I. N. (2011). СТРУКТУРНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ GaxIn1–xAsyP1–y ВСЛЕДСТВИЕ СПИНОДАЛЬНОГО РАСПАДА. Конденсированные среды и межфазные границы, 13(3), 334-340. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1061
Выпуск
Раздел
Статьи
