SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF In2O3/SnO2 HETERO-JUNCTION BEADED NANOWIRES

S. V. Ryabtsev; N. M. A. Hadia; S. В. Kushev; S. A. Soldatenko; E. P. Domashevskaya

S. V. Ryabtsev Рябцев Станислав Викторович — к.х.н., Воронежский государственный университет; e-mail: Ryabtsev@ niif.vsu.ru
N. M. A. Hadia Хадиа Н. М. А. — аспирант, Воронежский государственный университет; e-mail: nomery_abass@yahoo. com
S. В. Kushev Кущев Сергей Борисович — профессор Воронежского государственного технического университета; тел.: (4732) 467633, e-mail: kusheev@phis.vorstu.ru
S. A. Soldatenko Солдатенко Сергей Анатольевич — сотрудник Воронежского государственного технического университета; тел.: (920) 2351239, e-mail: cossack408@mail.ru
E. P. Domashevskaya Домашевская Эвелина Павловна — д.ф.-м.н., профессор, зав. каф. ФТТ и НС, Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 208-363; e-mail: ftt@phys. vsu.ru

Аннотация

Hetero-junction beaded nanowires were synthesized from the mixture of Sn and In metals by the gas-transport. These nanowires were characterized with XRD, SEM, TEM. Many singlecrystal In2O3 beads epitaxially grown along the axis of the single-crystal core SnO2 nanowires form
the beaded nanowires. The In2O3 beads have defi nite orientations along the [200] direction of the core SnO2 nanowires and show regular rhombohedral morphology. A possible growth mechanism for the beaded nanowires is proposed.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Pan Z. W., Dai Z. R., Wang Z. L. et al. // Science. 2001. V. 291. P. 1947—1949.
2. Chen Y. X., Campbell L. J., Zhou W. L. et al. // J. Crystal Growth. 2004. V. 270. P. 205—210.
3. Jeong J.S., Lee J.Y., Lee C.J. et al. // Chem. Phys. Lett. 2004. V. 384. P. 246—250.
4. Jiang Y., Meng X. M., Liu J. et al. // Adv. Mater. 2003. V. 15. P. 1195—1198.
5. Ma C., Ding Y., Moore D. et al. // J. Am. Chem. Soc. 2004. V. 126. P. 708—709.
6. Walter E. C., Murray B. J., Favier F. et al. // Adv. Mater. 2003. V. 15. P. 396—399.
7. Li Y. B., Bando Y., Golberg D. et al. // Adv. Mater. 2003. V. 15. P. 581—585.
8. Lao J. Y., Huang J. Y., Wang D. Z. et al. // Adv. Mater. 2004. V. 16. P. 65—69.
9. Kohno H., Takeda S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 1202—1203.
10. Zhou Y. C., Bando Y., Yin L. W. et al. // Adv. Mater. 2004. V. 16. P. 331—335.
11. Wang X. D., Gao R. X., Li J. et al. // Adv. Mater. 2002. V. 14. P. 1732—1736.
12. Hu J. Q., Meng X. M., Jiang Y. et al. // Adv. Mater. 2003. V. 15. P. 70—73.
13. Gudiksen M. S., Lauhon L. J., Wang J. F. et al. // Nature. 2002. V. 415. P. 617—620.
14. Lauhon L. J., Gudiksen M. S., Wang D. L. et al. // Nature. 2002. V. 420. P. 57—61.
15. Liu Y., Dong J., Liu M. L. et al. // Adv. Mater. 2004. V. 16. P. 353—357.
16. Zhang R. Q., Lifshitz Y., Lee S. T. et al. // Adv. Mater. 2003. V. 15. P. 635—640.
17. Wang J. X., Chen H. Y., Gao Y. et al. // J. Crystal Growth. 2005. V. 284. P. 73—79.