КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР СЕЛЕНИДОВ A2 IIIB3 VI НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ GaAs И InAs
Ключевые слова:
кинетика, механизм формирования, гетероструктуры, наноструктуры, ар- сенид галлия, арсенид индия, гетеровалентное замещение, селенид галлия, селенид индия.
Аннотация
Методом рентгеноспектрального микроанализа исследован элементный состав и кинетика формирования тонких (менее 15 нм) слоев селенида галлия на GaAs(100) и селенида индия на InAs(100) и (111), полученных термической обработкой в парах селена. Методом
атомносиловой микроскопии исследована топология поверхности InAs(100) до и после таких обработок. Предложен механизм образования наноструктур селенидов A2 IIIB3 V на поверхности полупроводников GaAs и InAs.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Tomkiewicz P., Arabasz S., Adamovicz B. et al. // Surface Science. 2009. V. 603. № 3. P. 498—502.
2. Tereshchenko O. E., Paget D., Rowe A. C. H. et al. // Surface Science. 2009. V. 603. № 3. P. 518—522.
3. Львова Т. В., Седова И. В., Дунаевский М. С. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 6. С. 1055—1061.
4. Брудный В. Н., Гриняев С. Н., Колин Н. Г. // Изв. Выс. Уч. зав. сер. (Физика). 2003. № 6. С. 59—65.
5. Бессолов В. Н., Лебедев М. В. // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 1281—1299.
6. Nannichi Y., Fan J., Oigawa H., Koma A. // Jap. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. № 12. P. L2367—L2369.
7. Sandroff C. J., Heyde M. S., Farrow L. A. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 4. P. 362—364.
8. Сысоев Б. И., Стрыгин В. Д., Котов Г. И. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. № 9. C. 22—26.
9. Сысоев Б. И., Котов Г. И., Титов С. А., Линник В. Д. // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы (межвуз. сб. науч. тр.). Воронеж. ВПИ, 1993. С. 59—66.
10. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Арсентьев И. Н. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. № 12. С. 1447—1449.
11. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 24—32.
12. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Арсентьев И. Н., Стародубцев А. А. // ФТП. 2005. Т. 39. № 9. С. 1025—1028.
13. Пат. 2319798 (2008) // опубл. 20.03.2008. Бюл. № 8.
14. Агапов Б. Л., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 12. С. 62—65.
15. Фистуль В. И. Физика и химия твердого тела в 2 томах. М.: Металлургия, 1995. Т. 2. С.320.
16. Фистуль В. И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физматлит, 2004. С.431.
17. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стрыгин В. Д. // ФТП. 1993. Т. 27. № 1. С. 131—135.
18. Романовский Б. В. Основы химической кинетики. М.: Экзамен, 2006. С. 415.
19. Shen J. Y., Chatillon C. // J. of Crystal Growth. 1990. V. 106. P. 543—552.
20. Штабнова В. Л., Кировская В. А. // Неорганические материалы. 1989. Т. 25. № 2. С.207—211.
2. Tereshchenko O. E., Paget D., Rowe A. C. H. et al. // Surface Science. 2009. V. 603. № 3. P. 518—522.
3. Львова Т. В., Седова И. В., Дунаевский М. С. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 6. С. 1055—1061.
4. Брудный В. Н., Гриняев С. Н., Колин Н. Г. // Изв. Выс. Уч. зав. сер. (Физика). 2003. № 6. С. 59—65.
5. Бессолов В. Н., Лебедев М. В. // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 1281—1299.
6. Nannichi Y., Fan J., Oigawa H., Koma A. // Jap. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. № 12. P. L2367—L2369.
7. Sandroff C. J., Heyde M. S., Farrow L. A. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 4. P. 362—364.
8. Сысоев Б. И., Стрыгин В. Д., Котов Г. И. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. № 9. C. 22—26.
9. Сысоев Б. И., Котов Г. И., Титов С. А., Линник В. Д. // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы (межвуз. сб. науч. тр.). Воронеж. ВПИ, 1993. С. 59—66.
10. Безрядин Н. Н., Татохин Е. А., Арсентьев И. Н. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. № 12. С. 1447—1449.
11. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 24—32.
12. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Арсентьев И. Н., Стародубцев А. А. // ФТП. 2005. Т. 39. № 9. С. 1025—1028.
13. Пат. 2319798 (2008) // опубл. 20.03.2008. Бюл. № 8.
14. Агапов Б. Л., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 12. С. 62—65.
15. Фистуль В. И. Физика и химия твердого тела в 2 томах. М.: Металлургия, 1995. Т. 2. С.320.
16. Фистуль В. И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физматлит, 2004. С.431.
17. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стрыгин В. Д. // ФТП. 1993. Т. 27. № 1. С. 131—135.
18. Романовский Б. В. Основы химической кинетики. М.: Экзамен, 2006. С. 415.
19. Shen J. Y., Chatillon C. // J. of Crystal Growth. 1990. V. 106. P. 543—552.
20. Штабнова В. Л., Кировская В. А. // Неорганические материалы. 1989. Т. 25. № 2. С.207—211.
Опубликован
2010-02-22
Как цитировать
Bezryadin, N. N., Kotov, G. I., Kuzubov, S. V., AgapovВ. L., & Kuzmenko, T. A. (2010). КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР СЕЛЕНИДОВ A2 IIIB3 VI НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ GaAs И InAs. Конденсированные среды и межфазные границы, 12(1), 28-35. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1093
Выпуск
Раздел
Статьи
