КИНЕТИКА ФОРМИРОВАНИЯ ОКСИДОВ Cu(I) И Cu(II) НА МЕДИ В ЩЕЛОЧНОМ РАСТВОРЕ И ОСОБЕННОСТИ ИХ ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПОВЕДЕНИЯ. ЧАСТЬ III. ФОТОТОК
Аннотация
С использованием методики синхронного получения транзиентов тока и фототока (режим потенциостатической и потенциодинамической поляризации), а также спектроскопии фототока исследовано анодное формирование и некоторые полупроводниковые свойства оксидов Cu(I) и Cu(II) на поликристаллической меди в деаэрированном щелочном растворе.
Подтверждено, что оксиды меди Cu2O и СuO, возникающие на меди при анодной поляризации, являются полупроводниками р-типа. Начальный этап окисления меди характеризуется возникновением промежуточного соединения Cu(I), возможно CuOH, обладающего n-типом проводимости. Пленка оксида Cu(I) является тонкой (ее толщина не превышает протяженность области пространственного заряда полупроводника) и характеризуется шириной запрещенной зоны 2,2 эВ для непрямых оптических переходов. Анодная поляризация в области потенциалов формирования CuO приводит к образованию более толстой оксидной пленки, представляющей
смесь оксидов Cu(I) и Cu(II).
Скачивания
Литература
2. Ганжа С. В., Кухарева Н. В., Грушевская С. Н., Введенский А. В. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 42—52.
3. Strehblow H.-H., Maurice V., Marcus P. // Electrochim. Acta. 2001. V. 46. P. 3755.
4. Modestov A. D., Zhou G.-D., Ge H.-H., Loo B. H. // J. Electroanal. Chem. 1995. V. 380. № 1—2. P. 63.
5. Bogdanowicz R., Ryl J., Darowicki K., Kosmowski B. B. // J. Solid State Electrochem. 2009. Published online. DOI 10.1007/s10008-008-0650-z.
6. Aruchamy A., Fujishima A. // J.Electroanal. Chem. 1989. V. 272. № 1—2. P. 125.
7. Di Quarto F., Piazza S., Sunseri C. // Electrochim. Acta. 1985. V. 30. № 3. P. 315.
8. Wilhelm S. M., Tanizawa Y., Chang-Yi Liu, Hackerman N. // Corr. Sci. 1982. V. 22. № 8. P. 791.
9. Камкин А. Н., Гуо Динг-Цу, Давыдов А. Д. // Защита металлов. 2001. Т. 37. № 1. С. 72.
10. Chaudhary Y. S., Argaval A., Shrivastav R., Satsangi V. R., Dass S. // Int. J. Hydrogen Energy. 2004. № 29. P. 131.
11. Kublanovsky V. S., Kolbasov G. Ya., Belinskii V. N. // J. Electroanal. Chem. 1996. V. 415. P. 161.
12. Лукьянчиков А. Н., Грушевская С. Н., Кудряшов Д. А., Введенский А. В. пат. 66052 РФ // Б.И. 2007. № 24.
13. Кудряшов Д. А. Анодное формирование и свойства нанопленки оксида Ag(I) на поли-, монокристаллах серебра и Ag,Au-сплавах. Дисс. … канд. хим. наук. Воронеж: Воронеж. ун-т, 2008. 193 с.
14. Гуревич Ю. Я., Плесков Ю. В. Фотоэлектрохимия полупроводников М.: Наука, 1983. 312 с.
15. Abrantes L. M., Castillo L. M., Norman C., Peter L. M. // J. Electroanal. Chem. 1984. V. 163. P. 209.
16. W. Paatsch // Ber.Bunsenges Phys.Chem. 1977. V. 81. P. 645.
17. Кудряшов Д. А., Грушевская С. Н., Ганжа С. В., Введенский А. В. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2009. Т. 45. № 5. С. 451.
