КИНЕТИКО-ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ В СИСТЕМЕ PbSe — CdSe

Semen I. Yagodin; Michael P. Mironov; Larissa N. Maskaeva; Viacheslav F. Markov

Semen I. Yagodin Ягодин Семен Иванович — аспирант, Уральский государственный технический университет г. Екатеринбург
Michael P. Mironov Миронов Михаил Пантелеймонович — начальник института, Уральский институт ГПС МЧС России, Екатеринбург
Larissa N. Maskaeva Маскаева Лариса Николаевна — профессор, Уральский институт ГПС МЧС России, Екатеринбург; тел.: (343) 3759318; e-mail: mln@ural.ru
Viacheslav F. Markov Марков Вячеслав Филиппович — профессор, зав. кафедрой физической и коллоидной химии, Уральский государственный технический университет, Екатеринбург; тел.: (343) 3759318; e-mail: markv@mail.ustu.ru

Ключевые слова: ионные равновесия, граничные условия образования, кинетические иссле- дования, селениды свинца и кадмия, твердые растворы замещения CdxPb1−xSe.

Аннотация

Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системе «ацетат свинца — хлорид кадмия — селеномочевина — цитрат натрия — аммиак —сульфит натрия» определены граничные условия образования PbSe и CdSe и их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса. Проведены комплексные кинетические исследования осаждения PbSe и CdSe с составлением формально-кинетических уравнений скоростей превращения солей свинца и кадмия в селениды. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением пленок твердых растворов замещения
CdxPb1−xSe широкого диапазона составов, исследованы их состав и кристаллическая структура.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Семилетов С. А., Воронина И. П. //ДАН СССР. 1963. Т. 152. № 6. С. 1350.
2. Курбатов Л. Н. // Вопросы оборонной техники. 1995. В. 1—2. С. 3.
3. Буткевич В. Г., Бочков В. Д., Глобус Е. Р. // Прикладная физика. 2001. № 6. С.66—112.
4. Гамарц Е. М., Крылов В. А. Оптические газоанализаторы для безопасных технологий// Петербург. журн. электроники. 2003. Т. 38. № 1. С. 54.
5. Gardona M., Harbeke G. // Phys. Rev. A. 1965. V. 1237. P. 1467.
6. Метелева Ю. В., Новиков Г. Ф. // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. В. 10. С.1167.
7. Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эптаксиальные пленки соединений AIIBVI. Л.: ЛГУ, 1978. 311 с.
8. Martin, Y. M., Hermandez, Y. L. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 1740.
9. Голубченко Н. В., Иошт М. А., Мошников В. А. // Перспективные материалы. 2005. № 3. С. 31.
10. Томаев В. В., Панов М. Ф. // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 3. С. 511.
11. Семенов В. Н., Овечкина Н. М. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. Т. 9. № 3. С. 261.
12. Иванов Д. К., Стрельцов В. А., Федотов А. К. и др. // Физика твердого тела. 2005. Т. № 1. С. 416.
13. Ivanov D. K., Streltsov E. A., Fedotov A. K., et al. // Thin Solid Films. 2005. V. 485. № 1—2. P. 39.
14. Baleva M. I. // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V. 5. № 43. Р. 7959.
15. Perna G., Cappozi V., Pagliara S., et al. // Thin Solid Films. 2001. V. 387. P. 208.
16. Wu H. Z., Fang X. M., Sales R., et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. D 17 (9). P. 1263.
17. Ежовский Ю. К., Михалевич Д. П. // Цветные металлы. 2008. № 3. С. 73-75.
18. Гак В. Ю., Николаенко Д. Ю., Бричкин С. Б. и др. // Физика твердого тела. 2002. Т. 28. № 2. С. 408—410.
19. Mane R. S. // Mat. Chem. Phys. 2000. V. 65. №. 1. P. 1.
20. Шелимова Л. Е., Томашик В. Н., Грыцив В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). М.: Наука, 1991. 368 с.
21. Берченко Н. Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение АIIBYI. М.: Воениздат, 1982. 208 с.
22. Гамарц А. Е., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 6. С. 683.
23. Ильин В. А., Петров А. А., Писаревский М. С. // Петербург. журн. электроники. 2001. № 4. С. 93.
24. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. Пер. с анг. М.: Мир, 1986. 435 с.
25. Маскаева Л. Н., Марков В.Ф., Лошкарева Л. Д. и др. // Изв. РАН. Неорг. материалы. 1997. Т. 33. № 6. С. 665.
26. Марков В. Ф., Маскаeва Л. Н., Китаев Г. А. // Неорган. материалы. 2000. Т. 36. № 12. С.1037.
28. Марков В. Ф., Маскаeва Л. Н., Иванов П. Н. // Неорган. материалы. 2002. Т. 38. № 9. С. 1037.
29. Sharma N. C., Pandya D. K., Sehgal H. K., et al. // Mater. Res. Bull. 1976. V. 11. № 9. P. 1109.
30. Мейтис Л. Введение в курс химического равновесия и кинетики / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 480 с.
31. Шварценбах Г., Флашка Г. Комплексонометрическое титрование / Пер. с нем. М.: Химия, 1970. 360 с.
32. Rietveld H. M. // J. Appl. Ctyst. 1969. V. 2. P. 65.
33. Чичагов А.В. Рентгенометрические параметры твердых растворов. М.: Наука, 1982. 171 с.
34. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник. Под ред. Новоселовой А. В., Лазарева В. В. М.: Наука, 1976. 339 с.
35. Марков, В. Ф., Маскаева, Л. Н., Дивинская, Г. Г. и др. // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. Т. 23. № 3. С.120.
36. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Иванов П. Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. Екатеринбург: УрО РАН, 2006. 218 с.
37. Фролов Ю. Г. Курс коллоидной химии. М.: Химия, 1989. 462 с.
38. Маскаева Л. Н., Китаев Г. А., Марков В. Ф. // Тезисы докладов Межрег. научно-техн. конф. ”Ультрадисперсн порошки, наноструктуры, материалы”. Красноярск, 199. С. 89.
39. Лурье Ю. Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия, 1989. 448 с.
40. Таусон В. Л., Абрамович М. Г. Физико-химические превращения реальных кристаллов в минеральных системах. Новосибирск: Наука, 1988. 272 с.
41. Кумок В. Н., Кулешова О. М., Карабин Л. А. Произведения растворимости. Новосибирск: Наука. Сиб. отд., 1983. 266 с.
42. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Виноградова Т. В. и др. // Ж. Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. № 1. С. 84.
43. Аксельруд Н. В. // ДАН СССР. 1954. Т. 98. № 5. С. 799.
44. Maskaeva L. N., Markov V. F., Voronin V. I., et al.// Thin Solid Films. 2004. V. 461. Р. 325.