ВЛИЯНИЕ ТОПОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ НА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕМБРАНЫ CMX ПРИ ИНТЕНСИВНЫХ ТОКОВЫХ РЕЖИМАХ
Ключевые слова:
мембрана, топология поверхности, контактный угол смачивания, интенсив- ный токовый режим, гидрофобность, массоперенос, электроконвекция.
Аннотация
Измерены суммарные и парциальные вольтамперные характеристики гомогенной мембраны CMX в 0.02 М растворе NaCl, определены контактные углы смачивания и визуализирована топология поверхности этой мембраны до и после ее эксплуатации при интенсивных
токовых режимах. Выявлена связь между изменением микротопологических характеристик поверхности, увеличением ее гидрофобности и интенсификацией массопереноса в мембранной системе при сверхпредельных токах. Показано, что причиной приращения массопереноса мембраны является создание более благоприятных условий для развития электроконвекции у поверхности CMX.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Macedonio F., Drioli E. // Membrane Water Treatment. 2010. V. 1. N. 1. P. 75.
2. Belova E. I., Lopatkova G. Yu., Pismenskaya N. D., et al. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 13458.
3. Rubinstein I., Zaltzman B. // Phys. Rev. E. 2000. V. 62. № 2. P. 2238.
4. Dukhin S.S., Mishchuk N.A. // J. Mem. Sci. 1993. V. 79. P. 199.
5. Urtenov Mt A.-Kh., Kirillova E. V., Seidova N. M., et al. // J. Phys. Chem. B. 2007. V. 111. P. 14208.
6. Simons R. // Electrochim. Acta. 1984. V. 29. P. 151. 7. Заболоцкий В.И., Шельдешов Н.В., Гнусин Н.П. // Успехи химии. 1988. Т. 57. Вып. 6. С.1403.
8. Volodina E., Pismenskaya N., Nikonenko V., et al. // J. Colloid Interface Sci. 2005. V. 285. P. 247.
9. Rubinstein I., Zaltzman B., Kedem O. // J. Membr. Sci. 1997. V. 125. P. 17.
10. Письменская Н.Д., Никоненко В.В., Белова Е.И. и др. // Электрохимия. 2007. Т. 43. Вып. 3. С. 325.
11. Choi J.-H., Lee H.-J., Moon S.-H. J. // Colloid Interface Sci. 2001.V. 238. P. 188.
12. Nikonenko V.V., Pismenskaya N.D., Belova E.I., et al. // Proceedings of the international conference “PERMEA 2009”. 2009. P. 42.
13. Voronov R.S., Papavassiliou D.V., Lee L.L. // Ind. Eng. Chem. Res. 2008. V. 47. P. 2455.
14. Yossifon G., Mushenheim P., Chang Yu-Ch., et al. // Phys. Rev. E. 2010. V. 81. P. 1.
15. Quere D. // Physica A. 2002. V. 313. P. 32.
16. Wenzel R.N. // Ind. Eng. Chem. 1936. V. 28. P. 988.
17. Luo Ch., Zuo X., Wang L., et al. // Nano letters. 2008. V. 8. №. 12. P. 4454.
18. Madaeni S.S., Ghaemi N. // Applied Surface Sci. 2007. V. 254. P. 627.
19. Ping-Sheng L., Chen Q., Shi-Shan W., et al. // J. Membr. Sci. 2010. V. 350. P. 387.
20. Krol J.J., Wessling M., Strathmann H. // J. Membr. Sci. 1999. V. 162. P. 155.
21. Kang M.-S., Choi Y.-J., Moon S.-H. // AIChE J. 2004. V. 49. P. 3213.
22. Nebavsky A.V., Shevtsova K.A., Pismenskaya N.D., et al. // Proceedings of the International Conference “Ion transport in organic and inorganic membranes”. 2010. P. 121.
23. Заболоцкий В.И., Никоненко В.В. Перенос ионов в мембранах М.: Наука, 1996. 390с.
24. Balster J., Yildirim M. H., Stamatialis D. F., et al. // J. Phys. Chem. B. 2007. V. 111. P. 2152.
25. Balazs1 D.J., Hollenstein C., Mathieu H.J. // European Cells and Materials. 2002. V. 3. P. 7.
26. Boulange-Petermann L., Debacq C., Poiret P., et al. // Contact angle, wettability and adhesion. 2003. V. 3. P. 501.
27. McCafferty E., Wightman J. P. // J. Adhesion Science and Technology. 1999. V. 13. P. 1415.
28. Etzler F.M. Simmons J., Ladyzhynsky N., et al. // Relevance to Science and Technology. 2000. V. 2. P. 385.
29. Curtin D., Lousenberg R., Henry T., et al. // J. Power Sources. 2004. V. 131. P. 41.
30. Bass M., Berman A., Singh A., et al. // J. Phys. Chem. B. 2010. V. 114. P. 3784.
31. Zawodzinski T.A., Springer N.E., Davey J., et al. // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. P. 1981.
32. Goswami Sh., Klaus Sh., Benziger J. // Langmuir. 2008. Vol. 24. P. 8627.
33. Харкац Ю.И. // Электрохимия. 1985. Т. 21. Вып. 7. С. 974.
2. Belova E. I., Lopatkova G. Yu., Pismenskaya N. D., et al. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 13458.
3. Rubinstein I., Zaltzman B. // Phys. Rev. E. 2000. V. 62. № 2. P. 2238.
4. Dukhin S.S., Mishchuk N.A. // J. Mem. Sci. 1993. V. 79. P. 199.
5. Urtenov Mt A.-Kh., Kirillova E. V., Seidova N. M., et al. // J. Phys. Chem. B. 2007. V. 111. P. 14208.
6. Simons R. // Electrochim. Acta. 1984. V. 29. P. 151. 7. Заболоцкий В.И., Шельдешов Н.В., Гнусин Н.П. // Успехи химии. 1988. Т. 57. Вып. 6. С.1403.
8. Volodina E., Pismenskaya N., Nikonenko V., et al. // J. Colloid Interface Sci. 2005. V. 285. P. 247.
9. Rubinstein I., Zaltzman B., Kedem O. // J. Membr. Sci. 1997. V. 125. P. 17.
10. Письменская Н.Д., Никоненко В.В., Белова Е.И. и др. // Электрохимия. 2007. Т. 43. Вып. 3. С. 325.
11. Choi J.-H., Lee H.-J., Moon S.-H. J. // Colloid Interface Sci. 2001.V. 238. P. 188.
12. Nikonenko V.V., Pismenskaya N.D., Belova E.I., et al. // Proceedings of the international conference “PERMEA 2009”. 2009. P. 42.
13. Voronov R.S., Papavassiliou D.V., Lee L.L. // Ind. Eng. Chem. Res. 2008. V. 47. P. 2455.
14. Yossifon G., Mushenheim P., Chang Yu-Ch., et al. // Phys. Rev. E. 2010. V. 81. P. 1.
15. Quere D. // Physica A. 2002. V. 313. P. 32.
16. Wenzel R.N. // Ind. Eng. Chem. 1936. V. 28. P. 988.
17. Luo Ch., Zuo X., Wang L., et al. // Nano letters. 2008. V. 8. №. 12. P. 4454.
18. Madaeni S.S., Ghaemi N. // Applied Surface Sci. 2007. V. 254. P. 627.
19. Ping-Sheng L., Chen Q., Shi-Shan W., et al. // J. Membr. Sci. 2010. V. 350. P. 387.
20. Krol J.J., Wessling M., Strathmann H. // J. Membr. Sci. 1999. V. 162. P. 155.
21. Kang M.-S., Choi Y.-J., Moon S.-H. // AIChE J. 2004. V. 49. P. 3213.
22. Nebavsky A.V., Shevtsova K.A., Pismenskaya N.D., et al. // Proceedings of the International Conference “Ion transport in organic and inorganic membranes”. 2010. P. 121.
23. Заболоцкий В.И., Никоненко В.В. Перенос ионов в мембранах М.: Наука, 1996. 390с.
24. Balster J., Yildirim M. H., Stamatialis D. F., et al. // J. Phys. Chem. B. 2007. V. 111. P. 2152.
25. Balazs1 D.J., Hollenstein C., Mathieu H.J. // European Cells and Materials. 2002. V. 3. P. 7.
26. Boulange-Petermann L., Debacq C., Poiret P., et al. // Contact angle, wettability and adhesion. 2003. V. 3. P. 501.
27. McCafferty E., Wightman J. P. // J. Adhesion Science and Technology. 1999. V. 13. P. 1415.
28. Etzler F.M. Simmons J., Ladyzhynsky N., et al. // Relevance to Science and Technology. 2000. V. 2. P. 385.
29. Curtin D., Lousenberg R., Henry T., et al. // J. Power Sources. 2004. V. 131. P. 41.
30. Bass M., Berman A., Singh A., et al. // J. Phys. Chem. B. 2010. V. 114. P. 3784.
31. Zawodzinski T.A., Springer N.E., Davey J., et al. // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. P. 1981.
32. Goswami Sh., Klaus Sh., Benziger J. // Langmuir. 2008. Vol. 24. P. 8627.
33. Харкац Ю.И. // Электрохимия. 1985. Т. 21. Вып. 7. С. 974.
Опубликован
2010-09-30
Как цитировать
Melnik, N. A., Shevtsova, K. A., Pismenskaya, N. D., & Nikonenko, V. V. (2010). ВЛИЯНИЕ ТОПОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ НА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕМБРАНЫ CMX ПРИ ИНТЕНСИВНЫХ ТОКОВЫХ РЕЖИМАХ. Конденсированные среды и межфазные границы, 12(3), 233-242. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1120
Выпуск
Раздел
Статьи
