ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ТВЕРДОФАЗНУЮ РАСТВОРИМОСТЬ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ InSb — InAs
Ключевые слова:
твердофазная растворимость; область распада твердого раствора; эпитак- сиальные пленки; упругие напряжения.
Аннотация
На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса установлено, что в системе InSb — InAs при 300 К растворимость не превышает 5—7 мол.% с обеих сторон. В случае эпитаксиальных пленок под влиянием упругих
напряжений, возникающих из-за несоответствия периодов решетки пленки и подложки, пределы растворимости изменяются. Стабилизирующее влияние оказывают только те подложки, период решетки которых лежит в интервале 0,610—0,644 нм. На подложке, изопериодной эквимолярному составу, возможно получение гомогенных твердых растворов InSb1–xAsx во всем интервале концентраций при толщине пленок 10 нм.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Берт Н.А., Вавилова Л.С., Ипатова И.П. и др. // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. №5. С. 544—548.
2. Stringfellow G.B. // J. Electron. Mater. 1982. V. 11. P. 903.
3. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия, 1981. 366 с.
4. Удовский А.Л. // Журн. физич. химии. 1977. Т. 51. №4. С. 796—800.
5. Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Козлова Ю.М. // Журн. физич. химии. 2002. Т. 76. № 9. С. 1600—1604.
6. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.
7. Джексон К.А., Шретер В. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Воронеж: Водолей, 2004.
8. Андерсон О. Физическая акустика // Динамика решетки. Под ред. У. Мэзона. М.: Мир, 1968. Т. 3. Ч. Б. 391 с.
9. Brantley W.A. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P.534.
10. Ohtani H., Kobayashi K., Ishida К. // J.Phase equillibria. 2001. V. 22. № 3. P. 276—286.
11. Van der Merve I.H. // J. Appl. Phys. 1962. V. 34. P. 123.
12. Matthews I.W. // J. Vac. Sci. Technol. 1975. V. 12. P. 126.
13. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 с.
14. People R., Bean I.C. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. № 3. P. 322—324.
15. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наук. думка, 1983. 304 с.
16. Quilles M., Launois H., Yoncour M.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. 61. P. 238.
2. Stringfellow G.B. // J. Electron. Mater. 1982. V. 11. P. 903.
3. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия, 1981. 366 с.
4. Удовский А.Л. // Журн. физич. химии. 1977. Т. 51. №4. С. 796—800.
5. Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Козлова Ю.М. // Журн. физич. химии. 2002. Т. 76. № 9. С. 1600—1604.
6. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.
7. Джексон К.А., Шретер В. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Воронеж: Водолей, 2004.
8. Андерсон О. Физическая акустика // Динамика решетки. Под ред. У. Мэзона. М.: Мир, 1968. Т. 3. Ч. Б. 391 с.
9. Brantley W.A. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P.534.
10. Ohtani H., Kobayashi K., Ishida К. // J.Phase equillibria. 2001. V. 22. № 3. P. 276—286.
11. Van der Merve I.H. // J. Appl. Phys. 1962. V. 34. P. 123.
12. Matthews I.W. // J. Vac. Sci. Technol. 1975. V. 12. P. 126.
13. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 с.
14. People R., Bean I.C. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. № 3. P. 322—324.
15. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наук. думка, 1983. 304 с.
16. Quilles M., Launois H., Yoncour M.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. 61. P. 238.
Опубликован
2010-09-30
Как цитировать
SushkovaТ. Р., & Semenova, G. V. (2010). ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ТВЕРДОФАЗНУЮ РАСТВОРИМОСТЬ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ InSb — InAs. Конденсированные среды и межфазные границы, 12(3), 276-281. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1125
Выпуск
Раздел
Статьи
