О МЕХАНИЗМЕ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ВЛИЯНИЕМ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ
Ключевые слова:
междоузельные ионы, импульсное магнитное поле, локальные нетепловые фононы, энергия активации массопереноса.
Аннотация
Рассмотрен процесс перемещения междоузельных ионов в галогенидах щелочных металлов под влиянием импульсных магнитных полей. Приведен анализ составляющих энергии активации перемещения таких дефектов. Показано, что наиболее вероятным механизмом образования междоузельных ионов и вакансий при воздействии импульсного магнитного поля является пластическая деформация на стадии двойного поперечного скольжения. Предложена модель перемещения точечных дефектов по междоузлиям при наличии импульсного магнитного поля. Проведена оценка пороговых значений энергии активации массопереноса по тетраэдрическим междоузлиям.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.
2. Стоунхэм А. М. Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура точечных дефектов в диэлектриках и полупроводниках. 1978. Т. 1. М.: Мир, 570 с.
3. Стоунхэм А. М. Теория дефектов в твердых телах. Сравнение теории с экспериментом. 1978. Т. 2. М.: Мир, 357 с.
4. Flynn C. P., Stoneham A. M. // Phys. Rev. 1970. V. B1. P. 3960.
5. Аллен Л., Эберли Дж. Оптический резонанс и двухуровневые атомы. М.: Мир, 1978. 222 с.
6. Абрамов В. С. Распространение короткого импульса переменного поперечного магнитного поля внутри ферродиэлектрика // Материалы и реактивы для современной техники / М.: Изд-во НИИТХЭМ, 1987. С. 70.
7. Кац М. Л. Люминисценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах шелочно-галоидных соединений. Изд-во Саратовского университета, 1960. 280 с.
8. Кочубей В. И. Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах. М.: Физматлит, 2006. 188 с.
9. Егорушкин В. Е., Панин В. Е., Савушкин Е. В., Хон Ю. А. // Изв. Вузов. Физика. 1987. № 1. С. 9 .
10. Белозерова Э.П , Красников В. Л., Светашов А. А. Влияние магнитного поля на внутреннее трение и размножение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах / докл. на 6-й межд. конференц. Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность
материалов. Воронеж, 2006.
11. Головин Ю. И. // ФТТ. 2004. Т. 48. № 5. С. 769.
12. Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1984. 350 с.
13. Косевич А. М. Физическая механика реальных кристаллов. Киев: Наукова думка, 1981. 327 с.
14. Постников В. С. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1969. 330 с.
15. Шувалов Л. А., Урусовская А. А., Желудев И. С. и др. Современная кристаллография (в четырех томах). Т.
4. Физические свойства кристаллов. М.: Наука, 1981. 496 с.
16. Физический энциклопедический словарь // Гл.ред. Прохоров А. М. / М.: Изд-во Советская Энциклопедия, 1984. 944 с.
17. Битюцкая Л. А., Машкина Е. С., Бутузов И. Ю. // Журн. физ. Химии. 2004. Т. 78. № 12. С. 2132.
18. Кузьмичев В. Е. Законы и формулы физики (Справ-к). Киев: Наукова думка, 1989. С. 418 .
19. Миркин Л. И. Физические основы прочности и пластичности. М.: Изд-во МГУ, 1968.
20. Бусов В. Л. // Физ. Мезомех. 2009. Т. 12. №. 6. С. 17.
21. Пригожин И., Стенгерс И. Время. Хаос. Квант. К решению парадокса времени. М.: Изд-во КомКнига, 2005. С. 125.
22. Смирнов Б. И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука, 1981. 235 с.
23. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974. 496 с.
24. Зуев Л. Б., Громов В. Е., Нарожный А. Н. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в кристаллах NaCl, определяемую по релаксации напря-жений и прямыми методами // Динамика дислокаций / Киев: Наукова думка, 1975. С. 76.
25. Белозерова Э. П. Движение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах // Динамика дислокаций / Киев: Наукова думка, 1975. С. 218.
26. Бойко Ю. Ф., Лубинец С. В., Остапчук Е. И. О структуре и динамике дислокационных ансамблей, возникающих вблизи концентраторов в кристаллах KCl // Динамика дислокаций / Киев: Наукова думка, 1975. С. 145.
2. Стоунхэм А. М. Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура точечных дефектов в диэлектриках и полупроводниках. 1978. Т. 1. М.: Мир, 570 с.
3. Стоунхэм А. М. Теория дефектов в твердых телах. Сравнение теории с экспериментом. 1978. Т. 2. М.: Мир, 357 с.
4. Flynn C. P., Stoneham A. M. // Phys. Rev. 1970. V. B1. P. 3960.
5. Аллен Л., Эберли Дж. Оптический резонанс и двухуровневые атомы. М.: Мир, 1978. 222 с.
6. Абрамов В. С. Распространение короткого импульса переменного поперечного магнитного поля внутри ферродиэлектрика // Материалы и реактивы для современной техники / М.: Изд-во НИИТХЭМ, 1987. С. 70.
7. Кац М. Л. Люминисценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах шелочно-галоидных соединений. Изд-во Саратовского университета, 1960. 280 с.
8. Кочубей В. И. Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах. М.: Физматлит, 2006. 188 с.
9. Егорушкин В. Е., Панин В. Е., Савушкин Е. В., Хон Ю. А. // Изв. Вузов. Физика. 1987. № 1. С. 9 .
10. Белозерова Э.П , Красников В. Л., Светашов А. А. Влияние магнитного поля на внутреннее трение и размножение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах / докл. на 6-й межд. конференц. Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность
материалов. Воронеж, 2006.
11. Головин Ю. И. // ФТТ. 2004. Т. 48. № 5. С. 769.
12. Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1984. 350 с.
13. Косевич А. М. Физическая механика реальных кристаллов. Киев: Наукова думка, 1981. 327 с.
14. Постников В. С. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1969. 330 с.
15. Шувалов Л. А., Урусовская А. А., Желудев И. С. и др. Современная кристаллография (в четырех томах). Т.
4. Физические свойства кристаллов. М.: Наука, 1981. 496 с.
16. Физический энциклопедический словарь // Гл.ред. Прохоров А. М. / М.: Изд-во Советская Энциклопедия, 1984. 944 с.
17. Битюцкая Л. А., Машкина Е. С., Бутузов И. Ю. // Журн. физ. Химии. 2004. Т. 78. № 12. С. 2132.
18. Кузьмичев В. Е. Законы и формулы физики (Справ-к). Киев: Наукова думка, 1989. С. 418 .
19. Миркин Л. И. Физические основы прочности и пластичности. М.: Изд-во МГУ, 1968.
20. Бусов В. Л. // Физ. Мезомех. 2009. Т. 12. №. 6. С. 17.
21. Пригожин И., Стенгерс И. Время. Хаос. Квант. К решению парадокса времени. М.: Изд-во КомКнига, 2005. С. 125.
22. Смирнов Б. И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука, 1981. 235 с.
23. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974. 496 с.
24. Зуев Л. Б., Громов В. Е., Нарожный А. Н. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в кристаллах NaCl, определяемую по релаксации напря-жений и прямыми методами // Динамика дислокаций / Киев: Наукова думка, 1975. С. 76.
25. Белозерова Э. П. Движение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах // Динамика дислокаций / Киев: Наукова думка, 1975. С. 218.
26. Бойко Ю. Ф., Лубинец С. В., Остапчук Е. И. О структуре и динамике дислокационных ансамблей, возникающих вблизи концентраторов в кристаллах KCl // Динамика дислокаций / Киев: Наукова думка, 1975. С. 145.
Опубликован
2010-12-16
Как цитировать
Abramov, V. S., Busov, V. L., & Bityutskaya, L. A. (2010). О МЕХАНИЗМЕ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ВЛИЯНИЕМ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ. Конденсированные среды и межфазные границы, 12(4), 319-325. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1129
Выпуск
Раздел
Статьи
