ВЛИЯНИЕ СВЕТА НА ПРОВОДИМОСТЬ И ПРОЦЕССЫ АДСОРБЦИИ–ДЕСОРБЦИИ АКЦЕПТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК СdTe:Sb

Anastasija V. Nikolaeva; Evgenia V. Rabenok; Gennadij F. Novikov

doi:10.17308/kcmf.2017.19/201

Anastasija V. Nikolaeva Николаева Анастасия Владимировна – магистрант, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; инженер, Институт проблем химической физики РАН; тел.: +7(985) 7326955, e-mail: asa.93@mail.ru
Evgenia V. Rabenok Рабенок Евгения Витальевна –к. ф.-м. н., с. н. с., Институт проблем химической физики РАН; тел.: +7(925) 0562439, e-mail: rabenok@icp.ac.ru
Gennadij F. Novikov Новиков Геннадий Федорович – д. ф.-м. н., профессор, заведующий лабораторией фотоэлектрофизики, Институт проблем химической физики РАН; тел.: +7(916) 3920728, e-mail: gfnovikov@gmail.com

DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/201

Ключевые слова: газовые датчики, фотодесорбция, тонкоплёночные полупроводники, диэлектрическая спектроскопия

Аннотация

Изучено влияние внешних факторов (атмосфера, освещение) на проводимость тонких пленок CdTe:Sb. Обнаружено, что на зависимости действительной части комплексной электрической проводимости σ*=σ'+jσ''от времени под действием света с энергией кванта больше Eg наблюдается две области: резкий рост на начальном этапе и последующий спад. Показано, что наблюдаемый эффект снижения проводимости под действием света обусловлен фотодесорбцией молекул кислорода и/или воды с поверхности образца. Предложена модель «двуслойной» проводимости, представляющей собой цепь с «параллельно» соединёнными поверхностной и объемной проводимостью.

Авторы выражают признательность к. х. н. Гапановичу М. В. за помощь в приготовлении образцов.

Работа выполнена при финансовой поддержке проекта РФФИ № 16-08-01234 и госзадания № 01201361850.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Fedjaeva O. A. Diss. ... Dr. chem. sci. Omsk, 2014, 303 p.
2. Kirovskaja I. A, Podgornyj S. O. Patent RF, no. 2422811, 2014.
3. Fedjaeva O. A. Semiconductors, 2014, vol. 48, no. 11, pp. 1444-1448. DOI: 10.1134/S1063782614110104
4. Podgornyj S. O., Timoshenko O. T., Skutin E. D. Omsk Scientific Bulletin, 2013, no. 3, pp. 50-52.
5. Odin I. N., Chukichev M. V. Inorganic Materials, 2003, vol. 39, no. 5, pp. 440-443. DOI: 10.1023/A:1023699906535
6. Il'chuk G. A., Ivanov-Omskij V. I., Rud' V.J u., Bekimbetov R. N., Ukrainec N. A. Semiconductors, 2000, vol. 34, no. 9, pp. 1058-1061.
7. Odin I. N., Chukichev M. V., Gapanovich M. V., Kozlovskij V. F., Nurtazin A. A., Novikov G. F. Inorganic Materials, 2009, vol. 45, no. 7, pp. 737-743. DOI: 10.1134/S0020168509070061
8. Radychev N. A., Novikov G. F., Chernov I. A., Meteleva Ju. V. Russian Journal of Physical Chemistry A, 2005, vol. 79, no. 11, pp. 1867-1869.
9. Vol'kenshtejn F. F. Electronic Processes on the Surface of Semiconductors During Chemisorption. Moscow, Nauka Publ., 1987, 432 p. (in Russia)