ФАЗОВАЯ ДИАГРАММА СИСТЕМЫ Ga–S В ОБЛАСТИ СОСТАВОВ 48.0–60.7 МОЛ.% S

Sergey S. Berezin; Alexander Y. Zavrazhnov; Alexander V. Naumov; Ivan N. Nekrylov; Nikolai Yu. Brezhnev

doi:10.17308/kcmf.2017.19/208

Sergey S. Berezin Березин Сергей Сергеевич – ассистент кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; e-mail: bss-15.11.88@mail.ru
Alexander Y. Zavrazhnov Завражнов Александр Юрьевич – д. х. н., профессор кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; e-mail: alzavr08@rambler.ru
Alexander V. Naumov Наумов Александр Владимирович – к. х. н., н. с. кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; e-mail: aither@bk.ru
Ivan N. Nekrylov Некрылов Иван Николаевич – студент кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет; тел. +7(950) 7607532, e-mail: icq492164858@gmail.com
Nikolai Yu. Brezhnev Брежнев Николай Юрьевич – студент кафедры общей и неорганической химии, Воронежский государственный университет

DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/208

Ключевые слова: фазовая диаграмма, термические методы анализа, хроматотермографический анализ, дифференциальный термический анализ, рентгеноструктурный анализ

Аннотация

Целью настоящей работы является исследование фазовой T-x-диаграммы системы Ga – S в концентрационной области 48.0 – 60.7 мол. % S при температурах до 1150 °С. В качестве основного метода исследования был использован дифференциальный термический анализ (ДТА) при низких скоростях нагревания (< 1 K/мин). Данные ДТА сопоставлялись с результатами разработанного авторами метода хроматотермографического анализа (ХТА), позволяющего проводить исследования в статическом режиме, а также с данными высокотемпературного рентгенофазового анализа (ВТ РФА). Установлено, что в противоположность низкотемпературной части диаграммы, где присутствуют только фазы Ga2S3 и GaS, высокотемпературная часть (870 – 1110 °С) данной T-x-диаграммы оказывается сложной. Обосновывается, что в узкой области составов (59.0 – 60.7 мол.% S) существуют три различающиеся по составу фазы, обозначенные как σσ, Ga2S3' и Ga2S3. σσ-Фаза с содержанием серы около 59.0 мол. % S существует в весьма узком температурном интервале (877 – 922 °C) и распадается при температуре около 922 °С по перитектической реакции
σ⇄L+Ga2S′3.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Zlomanov V. P., Novoselova A. V. P-T-x-Diagrams for the Metal-Chalcogen Systems. / editor-in-chief: V. B. Lazarev. Moscow, Nauka Publ., 1987. 207 p. (in Russian).
2. Greenberg. J. Thermodynamic Basis of Crystal Growth: P-T-X Phase Equilibrium and Nonstoichiometry. Springer-Vcrlag Berlin Heidelberg, 2002, 247 p. DOI 10.1007/978-3-662-0487M
3. Rustanov P. G., Mardakhaev B. N., Safarov M. G. Inorg. Mater. (Engl. Transl.), 1967, vol. 3, no. 3, pp. 429-433.
4. Massalsk, T. B. (editor-in chief). Binary Alloy Phase Diagrams. Second Edition, Materials Information Soc., Materials Park, Ohio, 1990, vol. 2, 1269 p.
5. Predel B. Ga – S (Gallium-Sulfur). Phase Equilibria, Crystallographic and Thermodynamic Data of Binary Alloys’ of Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. Springer Berlin Heidelberg, 1996, vol. 5, Subvolume F: Ga-Gd – Hf-Zr, pp. 1-2.
6. Spandau H., Klanberg F. Zeitschrift für Anorganische und Allgemeine Chemie, 1958, pp. 300-308.
7. Pardo M. P., Tomas A., Guittard M. Mat. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1677-1684.
8. Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. J. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423-433.
9. Jones C. Y., Edwards J. G. J. Phys. Chem., ser. B, 2001, vol. 105, pp. 2718-2724
10. Roberts J. A., Searcy J. W. Science, 1977, vol. 196, pp. 525-527.
11. Edwards J. G., Franzen H. F. J. Phys. Chem., 1995, vol. 99, no. 13, pp. 4779–4786. DOI 10.1021/j100013a056
12. Clasen R, Grosse P, Krost A., et. al. Crystal Structure, Chemical Bond of III-VI Compounds. Landolt-Börnstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology - New Series 41C Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. Springer-Verlag GmbH, Heidelberg, 2016, p. c_0901126.
13. Zavrazhnov A. Y., Naumov A. V., Anorov P. V. Inorg. Mater. (Engl. Transl.), 2006, vol. 42, no. 12, pp. 1294–1298.
14. Berg L. G. Introduction to the Thermal Analysis. Moscow, Nauka Publ., 1969, 392 p. (in Russian).
15. Balikci E., Abbaschian R. J. Mater. Sci., 2005, vol. 40, pp. 1475– 1479.
16. Webster J. (ed.) Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering: III–VI Semiconductors. John Wiley & Sons, Inc., USA, 1999, pp. 147 – 158.
17. Berezin S. S., Berezina M. V., Zavrazhnov A. Y. Inorg. Mater. (Engl. Transl.), 2013, vol., no 6, pp. 555–563.