МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ ПЛЁНОК AIII2BVI3 В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ

  • Татьяна Владимировна Прокопова
  • Екатерина Андреевна Михайлюк
  • Николай Николаевич Безрядин
Ключевые слова: теллурид индия, донорный уровень, подвижность электронов и дырок, дифференциальная проводимость и емкость

Аннотация

Приведены описания и результаты решения уравнения электронейтральности в гетероструктуре Al/In2Te3 /InAs (n - типа), с учетом данных о двух типов уровней (Ed=0.5эВEd=0.5эВ и Et=0.36эВEt=0.36эВ) в запрещённой зоне материала слоя In2Te3. При температурах образца T∼250÷300KT∼250÷300K установлен факт изменения типа проводимости исследуемых гетероструктур с n - типа на p - тип.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.
Опубликован
2015-05-28
Как цитировать
Прокопова, Т. В., Михайлюк, Е. А., & Безрядин, Н. Н. (2015). МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ ПЛЁНОК AIII2BVI3 В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ. Конденсированные среды и межфазные границы, 17(2), 181-191. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/61
Выпуск
Том 17 № 2 (2015)
Раздел
Статьи