ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ и ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ИСХОДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СИСТЕМЫ TlInSe2–TlGaTe2

Solmas N. Mystafaeva; Mirsalim M. Asadov; Aydin I. Jabbarov; Elmira M. Kerimova

Solmas N. Mystafaeva Мустафаева Солмаз Наримановна — д.ф.-м.н, гл.н.с., Институт физики НАН Азербайджана; е-mail: solmust@gmail.com
Mirsalim M. Asadov Асадов Мирсалим Мираламоглы — д.х.н., зав. сек- тором, Институт химических проблем НАН Азербайджана; е-mail: mirasadov@gmail.com
Aydin I. Jabbarov Джаббаров Айдын И. — к.ф.-м.н, с.н.с., Институт физики НАН Азербайджана; е-mail: solmust@gmail .com
Elmira M. Kerimova Керимова Элмира Маммадалиевна — д.ф.-м.н., гл.н.с., Институт физики НАН Азербайджана; е-mail: solmust@gmail .com

Ключевые слова: твердые растворы, (TlInSe2)1-х(TlGaTe2)х, электрические и диэлектрические свойства, постоянный и переменный ток.

Аннотация

Выращены цепочечные монокристаллы твердых растворов (TlInSe2)1-х(TlGaTe2)х (х= 0.4 и 0.6) с тетрагональной структурой. Проведенные измерения физических свойств полученных образцов (TlInSe2)0.6(TlGaTe2)0.4 позволили определить диэлектрические характеристики и их частотную дисперсию, установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда на переменном токе. Оценены плотность и энергетический разброс локализованных состояний, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек,
ответственных за ас-проводимость в образце (TlInSe2)0.6(TlGaTe2)0.4. Измерена термо-э.д.с. в кристаллах (TlInSe2)0.4(TlGaTe2)0.6 и определен их тип проводимости.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Mustafaeva S. N., Ramazanzade V. A., Asadov M. M. // Mater. Chem. Phys. 1995. V. 40. № 2. P. 142—145.
2. Мустафаева С. Н., Асадов М. М., Исмаилов Д. И. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. 1990. Т. 26. № 11. C. 2288—2290.
3. Mustafaeva S. N., Kerimova E. M., Asadov M. M., et al. // Fizika. 2003. V. 9. № 3,4. P. 62—64.
4. Mustafaeva S. N. // Book of Abstracts. 16th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-16). Technical University Berlin,
Germany. Sept. 15—19, 2008. ID:23.
5. Шелег А. У., Гуртовой В. Г., Мустафаева С. Н. и др. // ФТТ. 2011. Т. 53. № 3. С. 443—445.
6. Mustafaeva S. N., Gasymov Sh. G., Kerimova E. M. // Abstracts of 17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. (ICTMC 17). Baku. Azerbaijan. 27—30 Sept., 2010. P. 105.
7. Mustafaeva S. N., Gasymov Sh. G., Kerimova E. M., et al // J. Phys. Chem. Solids. 2011. V. 72. № 6. P. 657—660.
8. Мустафаева С. Н., Гасымов Ш. Г. и др. // ФТТ. 2012. Т. 54. № 1. С. 43—45.
9. Abdinbekov S. S., Guseinov G. D. Physico-chemical investigations of TlInSe2-TlGaTe2 // Bull. Soc. Chim. Fr. 1986. № 3. P. 355—357.
10. Шелег А. У., Зуб Е. М., Ячковский А. Я. и др. // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 2. С. 332—334.
11. Шелег А. У., Гуртовой В. Г., Мустафаева С. Н. и др. // Изв. НАН Беларуси. 2012. № 1. С. 106—109.
12. Mustafaeva S. N., Jabbarov A. I. // Abstracts of 17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. (ICTMC 17). Baku. Azerbaijan. 27—30 Sept., 2010. P. 189.
13. Мустафаева С. Н., Джаббарлы А. И., Керимова Э. М. // Сб. док. Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела ФТТ-2009». Минск. Беларусь. 20—23 окт. 2009. Т. 2. С. 127—129.
14. Мустафаева С. Н. // Fizika. 2008. V. XIV. № 3. C. 189—191.
15. Мустафаева С. Н. // Неорган. материалы. 2010. T. 46. № 2. C. 145—148.
16. Пасынков В. В., Сорокин В. С. М атериалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1986. 368 с.
17. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических материалах. М.: Мир, 1974. 472 с.