THE SYSTEM Ge - Sn - As
Abstract
По результатам рентгенофазового и дифференциально-термического анализа построены Т — х диаграммы политермических разрезов GeAs–SnAs и GeAs–Sn4As3 системы Ge–Sn–As. Установлено, что разрез GeAs–Sn4As3 не является квазибинарным, четырехфазное
перитектическое превращение L+ SnAs ↔ GeAs + Sn4As3 реализуется при температуре 830 К. Квазибинарное сечение GeAs–SnAs представляет фазовую диаграмму эвтектического типа с координатами эвтектической точки 840 К и 20 мол.% GeAs.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Твердые растворы с участием элементов пятой группы. М.: Изд. МФ ТИ, 2000. C. 160.
2. Семенова Г. В., Забахидзе Г. Е., Гончаров Е. Г. // Ж. Неорган. Химии. 1997. Т. 42. № 10. С. 1744—1745.
3. Семенова Г. В., Забахидзе Г. Е., Гончаров Е. Г. // Ж. Неорган. Химии. 1998. Т. 43. № 9. С. 1549—1551.
2. Семенова Г. В., Забахидзе Г. Е., Гончаров Е. Г. // Ж. Неорган. Химии. 1997. Т. 42. № 10. С. 1744—1745.
3. Семенова Г. В., Забахидзе Г. Е., Гончаров Е. Г. // Ж. Неорган. Химии. 1998. Т. 43. № 9. С. 1549—1551.
Published
2013-09-27
How to Cite
Semenova, G. V., Sushkova, T. P., & Kononova, E. U. (2013). THE SYSTEM Ge - Sn - As. Condensed Matter and Interphases, 15(3), 345-351. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/918
Issue
Section
Статьи
