ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ ФОТОТОКА В ПЛЕНКАХ Pb1-xSnxTe<In> ОТ УРОВНЯ ОСВЕЩЕНИЯ И ВРЕМЕНИ ЭКСПОЗИЦИИ

  • Aleksey N. Akimov Акимов Алексей Николаевич — н. с., Институт фи- зики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3308888, e-mail: lexa@isp.nsc.ru
  • Alexandr E. Klimov Климов Александр Эдуардович — заведующий ла- бораторией, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3306631, e-mail: klimov@isp.nsc.ru
  • Alexandr M. Samoylov Самойлов Александр Михайлович — д. х. н., профессор кафедры материаловедения и индустрии нано- систем, Воронежский государственный университет; тел.: (473) 2596515, e-mail: samoylov@chem.vsu.ru
  • Vladimir N. Shumsky Шумский Владимир Николаевич — главный н. с., Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3307883, e-mail: shumsky@isp.nsc.ru
  • Vladimir Stanislavovich Epov Эпов Владимир Станиславович — инженер, Инсти- тут физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; тел.: (383) 3306631, e-mail: epov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: узкозонные полупроводники, твердые растворы, теллурид свинца, теллурид олова, легирование, тонкие пленки, фотопроводимость.

Аннотация

В работе представлены результаты исследования динамики нарастания и спада фототока в полученных молекулярно-лучевой эпитаксией пленках Pb1-xSnxTe<In> с составами x ≈ 0.24—0.28 при Т = 4.2 К при различных интенсивностях освещения и его продолжительности. Рассматриваются возможные причины отличия поведения фототока в зависимости от указанных факторов

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Вул Б. М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А. и др. // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29. № 1. С. 21.
2. Акимов Б. А., Брандт Б. А., Богословский С. А. и др. // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29. № 1. С. 11.
3. Акимов Б. А., Зломанов В. П., Рябова Л. И. и др. // Высокочистые вещества. 1991. Т. 6. № 6. С. 22.
4. Климов А. Э., Шумский В. Н. М ногоэлементные фотоприемные устройства дальнего ИК-диапазона на основе гетероэпитаксиальных пленок PbSnTe, легированных In, на BaF2. Гл. 6 в кн. «Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона» / под ред. С. П. Синицы. Новосибирск: Наука, 2001. С. 308.
5. Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 5. С. 563.
6. Рывкин С. М. Ф отоэлектрические явления в полупроводниках. М. : ГИФМ Л, 1963. 496 с.
7. Климов А. Э., Шумский В. Н. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 2. С. 147.
Опубликован
2013-12-04
Как цитировать
Akimov, A. N., Klimov, A. E., Samoylov, A. M., Shumsky, V. N., & Epov, V. S. (2013). ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ ФОТОТОКА В ПЛЕНКАХ Pb1-xSnxTe<In&gt; ОТ УРОВНЯ ОСВЕЩЕНИЯ И ВРЕМЕНИ ЭКСПОЗИЦИИ. Конденсированные среды и межфазные границы, 15(4), 375-381. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/921
Раздел
Статьи