ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ ФОТОТОКА В ПЛЕНКАХ Pb1-xSnxTe<In> ОТ УРОВНЯ ОСВЕЩЕНИЯ И ВРЕМЕНИ ЭКСПОЗИЦИИ
Аннотация
В работе представлены результаты исследования динамики нарастания и спада фототока в полученных молекулярно-лучевой эпитаксией пленках Pb1-xSnxTe<In> с составами x ≈ 0.24—0.28 при Т = 4.2 К при различных интенсивностях освещения и его продолжительности. Рассматриваются возможные причины отличия поведения фототока в зависимости от указанных факторов
Скачивания
Литература
2. Акимов Б. А., Брандт Б. А., Богословский С. А. и др. // Письма ЖЭТФ. 1979. Т. 29. № 1. С. 11.
3. Акимов Б. А., Зломанов В. П., Рябова Л. И. и др. // Высокочистые вещества. 1991. Т. 6. № 6. С. 22.
4. Климов А. Э., Шумский В. Н. М ногоэлементные фотоприемные устройства дальнего ИК-диапазона на основе гетероэпитаксиальных пленок PbSnTe, легированных In, на BaF2. Гл. 6 в кн. «Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона» / под ред. С. П. Синицы. Новосибирск: Наука, 2001. С. 308.
5. Акимов А. Н., Ерков В. Г., Климов А. Э. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 5. С. 563.
6. Рывкин С. М. Ф отоэлектрические явления в полупроводниках. М. : ГИФМ Л, 1963. 496 с.
7. Климов А. Э., Шумский В. Н. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 2. С. 147.