ПОВЕРХНОСТНАЯ ФАЗА Ga2Se3 НА GaP (111) ©
Аннотация
В работе представлены результаты исследования структурно-фазовых превращений на поверхности GaP (111) в процессе термической обработки в парах селена в квазизамкнутом объёме. Структура поверхности GaP (111) исследована методом микродифракции
с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Обнаружена псевдоморфная поверхностная фаза Ga2Se3(111)(√3×√3)-R300 с 33.3 % упорядоченных стехиометрических вакансий галлия. Электрофизические характеристики гетероструктур с барьером Шоттки исследованы методами вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопией глубоких уровней. Обработка в парах селена приводит к откреплению уровня Ферми за счёт снижения плотности поверхностных электронных состояний на поверхности GaP. Определены условия обработки, обеспечивающие значения высоты барьера (φb) 0.4 эВ для контакта из Al и 1.3 эВ для контакта из Au с коэффициентом неидеальности близким к единице.
Скачивания
Литература
2. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 24.
3. Fukuda Y., Shimomura M., Sanada N. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 3632.
4. Алферов Ж. И. // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3.
5. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 5. С. 896.
6. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 565.
7. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Кузубов С. В. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 1. С. 28.
8. Котов Г. И., Кузубов С. В., Агапов Б. Л. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2012. Т. 14. № 4. С. 428.
9. Зи С. Ф изика полупроводниковых приборов. М. : Мир, 1984. Т. 1. 456 с.
10. Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Арсентьев И. Н. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 6. С. 756.
