ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОС-ГИДРИДНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ AlxGa1-xAs1-yPy:Si

Pavel V. Seredin; Ivan N. Arsentyev; Tatiana Prutskij; Monika Rinke

Pavel V. Seredin Середин Павел Владимирович — д. ф.-м. н., с. н. с. кафедры ФТТ и НС, Воронежский государственный университет; e-mail: paul@phys.vsu.ru
Ivan N. Arsentyev Арсентьев Иван Никитич — д. т. н., профессор, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, С-Петербург; e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru
Tatiana Prutskij Tatiana Prutskij — доктор наук, Университет Пуэбла, Мексика, e-mail: prutskiy@yahoo.com
Monika Rinke Monika Rinke — доктор наук, Центр нано и микро- технологий Технологического университета г. Карлсруэ, Германия

Ключевые слова: эпитаксиальные гетероструктуры, AlxG1-xaAs, Рамановская спектроскопия, фотолюминесцентная спектроскопия.

Аннотация

Методами Рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии изучены МОС‑гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов AlxG1-xaAs, полученные в области составов с x~0.20—0.50 и легированные высокими концентрациями фосфора и кремния.
Введение фосфора и кремния в тройной твердый раствор AlxGa1-xAs приводит к образованию пятикомпонентных твердых растворов. Введение кремния в твердые растворы с концентрацией ~0.01 ат.% приводит к образованию в структуре глубоких уровней — DX центров, появление которых коренным образом сказывается на энергетических характеристиках полученных материалов.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Алферов Ж. И. // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3—18.
2. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры [Пер. с англ. под ред. Л. Ченга, К. Плога] // М: Мир, 1989. 584 с.
3. Seredin P V., Glotov A. V., Ternovaya V. E. et. al. // Semiconductors. 2011. V. 45. I. 11. P. 1433—1440.
4. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 267. P. 181—184/
5. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 6. P. 719—729.
6. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Semiconductors. 2009. V. 43. № 12. P. 1610—1616.
7. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Semiconductors. 2010. V. 44. № 2. P. 184—188.
8. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Semiconductors. 2010. V. 44. № 8. P. 1106—1112.
9. Винокуров Д. А., Капитонов В. А., Лютецкий А. В. и др. // ФТП. 2012. T. 46. № 10. С. 1344—1348.
10. Мармалюк А. А., Ладугин М. А., Яроцкая И. В. и др.// Квант. электрон. 2012. Вып. 41 (1). С. 15.
11. Борисов В. И., Сабликов В. А., Борисова и др. //ФТП. 1999. Т. 33. № 1. С. 68—74.
12. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P. et. al. // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 2010. V. 405. № 12. 15. P. С. 2694—2696.
13. Seredin P. V., Glotov A. V., Ternovaya V. E. et. al. // Semiconductors. 2011. V. 45. № 4. P. 481—492.
14. Hayes W. and Loudon R.. Scattering of Light by Crystals. (John Wiley & Sons, New York, 1978).
15. Jusserand B. and Sapriel J. // Phys. Rev. B. 1981. V. 24. P. 7194.
16. Lockwood D. J. and Wasilewski Z. R. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 155202.
17. Bour D. P., Shealy J. R., Ksendzov A. et. al. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 6456.
18. Yu. A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters / ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur // World Scientific, London. 1999. V. 2. P. 1.
19. Laref S., Mec-abih S., Abbar B. et. al. // Physica B. 2007. V. 396. P. 169—176.
20. Середин П. В., Терновая В. Е., Глотов А. В. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. № 10. С 2047—2050.