СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ ЖЕЛЕЗА И ТИТАНА, СФОРМИРОВАННЫХ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ
Ключевые слова:
пленки, магнетронное распыление, перераспределение компонентов, диффузия, нановолокна.
Аннотация
Послойным магнетронным распылением металлов на монокристаллический кремний с последующим вакуумным отжигом получены тонкие (~ 150 нм) пленки сложных оксидов железа и титана. Методами РФА и РЭМ установлены их состав и структура поверхности. При температуре вакуумного отжига Т = 1073 К формируются пленки с полупроводниковыми свойствами, содержащие на поверхности нановолокна диаметром до 16 нм. Пленки являются магнитооднофазными и характеризуются ферромагнитным сигналом при комнатной температуре. Методом РОР исследовано перераспределение компонентов в процессе синтеза и установлена глубокая диффузия железа и титана в кремний в условиях эксперимента.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Dou J., Navarrete L., Schad R., et al. Epitaxial growth of the high temperature ferromagn etic semiconductor Fe1.5Ti0.5O3 on silicon-compatible substrate // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. P. 07D117.
2. Hamie A., Popova E., Dumont Y., et al. Epitaxial growth of the high temperature ferromagn etic semiconductor Fe1.5Ti0.5O3 on silicon-compatible substrate // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 232501.
3. Takada Y., Nakanishi M., Fujii T., et al. Preparation and characterization of (001)- and (110)-orient ed 0.6FeTiO3·0.4Fe2O3 films for room temperature magn etic semiconductors // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 252102.
4. Hojo H., Fujita K., Tanaka K., et al. Room-temperature ferrimagn etic semiconductor 0.6FeTiO3∙0.4Fe2O3 solid solution thin films // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 142503.
5. Hojo H., Fujita K., Mizoguchi T., et al. Magn etic properties of ilmenite-hematite solid-solution thin films: Direct observation of ant iphase boundaries and their correlation with magn etism // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. P. 075414.
6. Droubay T., Rosso K. M., Heald S. M., et al. Structure, magn etism, and conductivi in epitaxial Ti-doped α-Fe2O3 hematite: Experiment and density functional theory calculations // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. P. 104412.
7. Логачева В. А., Григорян Г. С., Солодуха А. М. и др. Особенности пленок вольфраматов индия, полученных методом послойного напыления // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 3. С. 366—371.
8. Афонин Н. Н., Шрамченко Ю. С., Ховив А. М. Гетеродиффузия ниобия, индия и олова при формировании двухслойных систем на монокристаллическом кремнии // Журнал неорганической химии. 2011. Т. 56. № 5. С. 821—825.
9. Данилин Б. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
10. Sounak R., Viswanath B., Hegde M. S., et al. Low-Temperature Selective Catalyt ic Reduction of NO with NH3 over Ti0.9M0.1O2–δ (M = Cr, Mn, Fe, Co, Cu) // J. Phys. Chem. C. 2008. V. 112. № 15. P. 6002–6012.
11. Комаров Ф. Ф. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск.: Университетское, 1987. 256 с.
12. Вахтель В. М., Афонин Н. Н., Логачёва В. А. и др. Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn-Nb на кремнии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2008. Т. 74. № 7. С. 33—36.
13. Murase H., Fujita1 K., Murai S., et al. Epitaxial growth of ferrimagn etic semiconductor 0.4Fe3O4·0.6Fe2TiO4 solid solution thin films on MgO(100) Substrates // Journal of Physics: Conference Series. 2010. V. 200. P. 062013.
14. Суздалев И. П., Максимов Ю. В., Имшенник В. К. и др. Магнитные наноструктуры на основе нанокластеров оксида железа // Российские нанотехнологии. 2010. № 11—12. С. 104—110.
2. Hamie A., Popova E., Dumont Y., et al. Epitaxial growth of the high temperature ferromagn etic semiconductor Fe1.5Ti0.5O3 on silicon-compatible substrate // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 232501.
3. Takada Y., Nakanishi M., Fujii T., et al. Preparation and characterization of (001)- and (110)-orient ed 0.6FeTiO3·0.4Fe2O3 films for room temperature magn etic semiconductors // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 252102.
4. Hojo H., Fujita K., Tanaka K., et al. Room-temperature ferrimagn etic semiconductor 0.6FeTiO3∙0.4Fe2O3 solid solution thin films // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 142503.
5. Hojo H., Fujita K., Mizoguchi T., et al. Magn etic properties of ilmenite-hematite solid-solution thin films: Direct observation of ant iphase boundaries and their correlation with magn etism // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. P. 075414.
6. Droubay T., Rosso K. M., Heald S. M., et al. Structure, magn etism, and conductivi in epitaxial Ti-doped α-Fe2O3 hematite: Experiment and density functional theory calculations // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. P. 104412.
7. Логачева В. А., Григорян Г. С., Солодуха А. М. и др. Особенности пленок вольфраматов индия, полученных методом послойного напыления // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 3. С. 366—371.
8. Афонин Н. Н., Шрамченко Ю. С., Ховив А. М. Гетеродиффузия ниобия, индия и олова при формировании двухслойных систем на монокристаллическом кремнии // Журнал неорганической химии. 2011. Т. 56. № 5. С. 821—825.
9. Данилин Б. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
10. Sounak R., Viswanath B., Hegde M. S., et al. Low-Temperature Selective Catalyt ic Reduction of NO with NH3 over Ti0.9M0.1O2–δ (M = Cr, Mn, Fe, Co, Cu) // J. Phys. Chem. C. 2008. V. 112. № 15. P. 6002–6012.
11. Комаров Ф. Ф. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск.: Университетское, 1987. 256 с.
12. Вахтель В. М., Афонин Н. Н., Логачёва В. А. и др. Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn-Nb на кремнии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2008. Т. 74. № 7. С. 33—36.
13. Murase H., Fujita1 K., Murai S., et al. Epitaxial growth of ferrimagn etic semiconductor 0.4Fe3O4·0.6Fe2TiO4 solid solution thin films on MgO(100) Substrates // Journal of Physics: Conference Series. 2010. V. 200. P. 062013.
14. Суздалев И. П., Максимов Ю. В., Имшенник В. К. и др. Магнитные наноструктуры на основе нанокластеров оксида железа // Российские нанотехнологии. 2010. № 11—12. С. 104—110.
Опубликован
2012-09-25
Как цитировать
Afonin, N. N., Logachova, V. A., & Khoviv, A. M. (2012). СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ ЖЕЛЕЗА И ТИТАНА, СФОРМИРОВАННЫХ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ. Конденсированные среды и межфазные границы, 14(3), 279-284. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/980
Выпуск
Раздел
Статьи
