СТАДИЯ ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ ФАЗЫ A2IIIC3VI НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ AIIIBV

Nikolay N. Bezryadin; Aleksandr V. Budanov; Vladimir D. Strygin; Evgeniy V. Rudnev; Boris L. Agapov

Nikolay N. Bezryadin Безрядин Николай Николаевич — д.ф.-мат.н., профессор, заведующий кафедрой физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; тел.: (960) 1240579, е-mail: phys@vgt a.vrn.ru
Aleksandr V. Budanov Буданов Александр Владимирович — к .ф.-мат.н., доцент кафедры физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; тел.: (903) 8527719, е-mail:budanova9@gmail.com
Vladimir D. Strygin Стрыгин Владимир Дмитриевич — д.ф.мат.-н., профессор кафедры физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; тел.: (909) 2106999, е-mail: phys@vgt a.vrn.ru
Evgeniy V. Rudnev Руднев Евгений Владимирович — к.ф.-мат.н., доцент кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет; тел.: (951) 8764844, е-mail: rudneff@mail.ru
Boris L. Agapov Агапов Борис Львович — к.ф.-мат.н., доцент кафедры физики, Воронежский государственный университет инженерных технологий; тел.: (915) 5866418, е-mail: b.agapov2010@yandex.ru

Ключевые слова: коалесценция зародышей, кинетика роста, генерации вакансий.

Аннотация

В работе исследуется кинетика роста и коалесценция зародышей соединения A2IIIC3VI на кристаллах AIIIBV. Методом экстраполяции из гистограмм распределения зародышей по радиусам определено критическое значение радиуса зародыша ≈17 нм, которое хорошо согласуется с радиусом когерентности кристаллических решеток GaAs — Ga2Se3 ≈14 нм. Оценки размеров неоднородностей поверхности и их концентраций, полученные по микрофотографиям, согласуются с результатами измерений релеевского рассеяния от поверхностей Ga2Se3 и данными туннельной микроскопии. Темп генерации вакансий элемента BV и механические напряжения, вызванные рассогласованием периодов идентичности кристаллических решеток, максимальны в ближайшем окружении зародыша фазы A2IIIC3VI. Микроскопический механизм замещения анионов кристаллической решетки AIIIBV на элемент CVI определяется термостимулированным образованием вакансий в анионных узлах и их последующим заполнением атомами CVI из адсорбированного слоя халькогена.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Сысоев Б. И., Антюшин В. Ф., Стрыгин В. Д. и др. // Журнал технической физики. 1986. № 5. С. 913—915.
2. Сысоев Б. И., Буданов А. В., Стрыгин В. Д. Формирование гетероперехода Ga2S3 — гетеровалентного замещения мышьяка на серу. // В сб. Полупроводники и гетеропереходы. 1987. Таллин, С. 32—34.
3. Postnikov V. S., Sysoev B. I., Budanov A. V., et al. // Phisica Status Solidi (a). 1988. V. 109. P. 463—467.
4. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Буданов А. В. и др. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 6. С. 591—594.
5. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36. № 9. С. 1037—1041.
6. Антюшин В. Ф., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 7. С. 68—72.
7. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1998. № 5. С. 150—152.
8. Бессолов В. Н., Лебедев М. В. // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. В. 11. С. 1281—1299.