УПОРЯДОЧЕНИЕ В МОС-ГИДРИДНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ AlxGa1–xAs
Ключевые слова:
твердые растворы, AlxGa1–xAs, сверхструктурная фаза.
Аннотация
Изучены МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов AlxGa1–xAs состава x ~ 0.50. Методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии было показано, что возможно образование сверхструктурных фаз упорядочения со стехиометрией A1–ηB1+ηC2. Следствием этого является не только изменение кристаллической симметрии нового соединения с кубической на тетрагональную, но и изменение оптических свойств по отношению к неупорядоченному твердому раствору аналогичного состава.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Martins J. L., Zunger A. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. P. 1400.
2. Srivastava G. P., Martins J. L., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31 P. 2561.
3. Wei S-H., Ferreira L. G., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. P. 8240.
4. Dandrea R. G., Bernard J. E., Wei S-H., et al. // Phys. Rev. Lett . 1990. V. 64. P. 36.
5. Zunger A. // MRS-IRS bulletin/ July 1997. htt p://www.sst.n rel.g ov/images/mrs97
6. Laref S., Mec-abih S., Abbar B., et al // Physica B. 2007. V. 396. P. 169—176.
7. Wei Su-Huai, Zunger A. // Phys.Rev. B. 1989-1. V. 39. № 5.
8. Ahrenkiel S. P., Jones K. M., Matson R. J., et al. // Present ed at the Materials Research Socie 1999. Fall Meeting Boston, Massachusett s.
9. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Int erface Analysis. 2006. V. 8. №. 4. P. 828—832.
10. Середин П. В. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 8. С. 1137—1141.
11. Середин П. В. // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
12. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova É. A., et al. // Semiconductors. 2005. Т. 39. № 3. С. 336—342.
13. Seredin P. V., Domashevskaya E. P., Lukin A. N., et al. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. С. 1072.
14. Goldberg Yu. A. Handbook Series on Semiconductor Parameters. / Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyant sev and M. Shur. World Scient ific. London, 1999. V. 2. P. 1.
15. Домашевская Э. П., Середин П. В., Битюцкая Л. А. и др. // Поверхность. Рентгеновские, син хротронные и нейтронные исследования. 2008. № 2. С. 62—65.
16. Seredin P. V., Domashevskaya E. P., Lukin А. N., et al. // Semiconductors. 2008. Т. 42. № 9. С. 1055—1061.
2. Srivastava G. P., Martins J. L., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31 P. 2561.
3. Wei S-H., Ferreira L. G., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. P. 8240.
4. Dandrea R. G., Bernard J. E., Wei S-H., et al. // Phys. Rev. Lett . 1990. V. 64. P. 36.
5. Zunger A. // MRS-IRS bulletin/ July 1997. htt p://www.sst.n rel.g ov/images/mrs97
6. Laref S., Mec-abih S., Abbar B., et al // Physica B. 2007. V. 396. P. 169—176.
7. Wei Su-Huai, Zunger A. // Phys.Rev. B. 1989-1. V. 39. № 5.
8. Ahrenkiel S. P., Jones K. M., Matson R. J., et al. // Present ed at the Materials Research Socie 1999. Fall Meeting Boston, Massachusett s.
9. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Int erface Analysis. 2006. V. 8. №. 4. P. 828—832.
10. Середин П. В. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 8. С. 1137—1141.
11. Середин П. В. // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2009. Т. 11. № 3. С. 46—52.
12. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Dolgopolova É. A., et al. // Semiconductors. 2005. Т. 39. № 3. С. 336—342.
13. Seredin P. V., Domashevskaya E. P., Lukin A. N., et al. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. С. 1072.
14. Goldberg Yu. A. Handbook Series on Semiconductor Parameters. / Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyant sev and M. Shur. World Scient ific. London, 1999. V. 2. P. 1.
15. Домашевская Э. П., Середин П. В., Битюцкая Л. А. и др. // Поверхность. Рентгеновские, син хротронные и нейтронные исследования. 2008. № 2. С. 62—65.
16. Seredin P. V., Domashevskaya E. P., Lukin А. N., et al. // Semiconductors. 2008. Т. 42. № 9. С. 1055—1061.
Опубликован
2012-09-25
Как цитировать
Seredin, P. V., Domashevskaya, E. P., Arsentyev, I. N., & Prutskij, T. (2012). УПОРЯДОЧЕНИЕ В МОС-ГИДРИДНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ AlxGa1–xAs. Конденсированные среды и межфазные границы, 14(3), 384-389. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/994
Выпуск
Раздел
Статьи
