ВЫСОКОСИММЕТРИЧНЫЕ КУБИЧЕСКИЕ МОДИФИКАЦИИ In2Se3 И Ga2Se3, ПОЛУЧЕННЫЕ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПОДЛОЖЕК InAs И GaAs С СЕЛЕНОМ
Ключевые слова:
высокосимметричные кубические модификации, сканирующая электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ.
Аннотация
Методами электронографии, сканирующей электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы модификации Ga2Se3 и In2Se3, полученные методом гетеровалентного замещения в процессе термического отжига монокристаллических подложек арсенидов галлия и индия в парах селена в квазизамкнутом объеме. Впервые было обнаружено существование кубических фаз In2Se3 (a0 = 1,1243 нм и a0 = 1,6890 нм) и Ga2Se3 (a0 = 1,0893 нм и a0 = 1,6293 нм).
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. Радио, 1968. 222 с.
2. Абрикосов Н. Г., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. 220 с.
3. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. Шк. 1975, 302 с.
4. Сысоев Б. И., Антюшин В. Ф., Стрыгин В. Д., Моргунов В. Н. // ФТП. 1986. Т. 56. № 5. С. 913—915.
5. Postnikov V. S., Sysoev B. I., Budanov A.V., et al. // Phys. Stat. Sol. 1988. (a). V. 109. P. 467—483.
6. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И. и др. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 1. С. 131—135.
7. Бессолов В. Н., Лебедев М. В. // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 1281—1299.
8. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Агапов Б. Л., и др. // Неорг. Материалы. 2000. Т. 36. № 9. С. 1037—1041.
9. Сысоев Б. И., Стрыгин В. Д., Чурсина Е. И. и др. // Неорг. материалы. 1991. Т. 27. № 8. С. 1583—1585.
10. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 5—724.
11. Агапов Б. Л., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2007. № 12. С. 62—65.
12. Hahn H., Klinger W. // Zs. Anerg. Chem. 1949. № 97. P. 2606—2618.
13. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 1—3.
14. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 32—456.
15. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 32—1488.
16. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 5—731.
2. Абрикосов Н. Г., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. 220 с.
3. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. Шк. 1975, 302 с.
4. Сысоев Б. И., Антюшин В. Ф., Стрыгин В. Д., Моргунов В. Н. // ФТП. 1986. Т. 56. № 5. С. 913—915.
5. Postnikov V. S., Sysoev B. I., Budanov A.V., et al. // Phys. Stat. Sol. 1988. (a). V. 109. P. 467—483.
6. Сысоев Б. И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И. и др. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 1. С. 131—135.
7. Бессолов В. Н., Лебедев М. В. // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 1281—1299.
8. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Агапов Б. Л., и др. // Неорг. Материалы. 2000. Т. 36. № 9. С. 1037—1041.
9. Сысоев Б. И., Стрыгин В. Д., Чурсина Е. И. и др. // Неорг. материалы. 1991. Т. 27. № 8. С. 1583—1585.
10. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 5—724.
11. Агапов Б. Л., Безрядин Н. Н., Сыноров Ю. В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2007. № 12. С. 62—65.
12. Hahn H., Klinger W. // Zs. Anerg. Chem. 1949. № 97. P. 2606—2618.
13. Безрядин Н. Н., Буданов А. В., Татохин Е. А. и др. // ПТЭ. 1998. № 5. С. 1—3.
14. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 32—456.
15. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 32—1488.
16. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1—45 database, Newton Square, PA 19073, USA, card № 5—731.
Опубликован
2012-12-20
Как цитировать
Budanov, A. V., Tatokhin, E. A., Strygin, V. D., & Rudnev, E. V. (2012). ВЫСОКОСИММЕТРИЧНЫЕ КУБИЧЕСКИЕ МОДИФИКАЦИИ In2Se3 И Ga2Se3, ПОЛУЧЕННЫЕ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПОДЛОЖЕК InAs И GaAs С СЕЛЕНОМ. Конденсированные среды и межфазные границы, 14(4), 412-417. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/997
Выпуск
Раздел
Статьи
