THERMAL OXIDATION OF GaAs UNDER INFLUENCE OF COMPOSITIONS OF Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 AND V2O5 WITH OXIDES OF ALUMINIUM AND YTTRIUM
Keywords:
полупроводники, тонкие пленки, окисление, хемостимулятор, нелинейность.Abstract
Использование оксидных композиций, состоящих из хемостимулятора (Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2,V2O5) и инертного по отношению к окисляемому полупроводнику оксида (Al2O3, Y2O3) позволило обнаружить линейное изменение толщины оксидного слоя на GaAs в
зависимости от состава композиций, представляющее собой аддитивную прямую. Для композиций с участием Y2O3 эта аддитивность зафиксирована во всем интервале составов. При отсутствии взаимодействий между оксидами в композициях, заключающихся в образовании совместных фаз и твердых растворов, выявлены дополнительные факторы, обусловливающие отклонения от аддитивности. В присутствии Al2O3 изменяется режим собственных превращений оксидов-хемостимуляторов композиции, приводящих, в конечном счете, к изменению характера их воздействия на оксидирование GaAs.
