О МЕХАНИЗМЕ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ВЛИЯНИЕМ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Valery S. Abramov; Vladimir L. Busov; Larisa A. Bityutskaya

Authors

Valery S. Abramov PhD, senior researcher, Donetsk Physico-Technical Institute; tel.: (0626) 3110570, e-mail: dima_busov@mail.ru
Vladimir L. Busov assistant professor, Engineering Academy; tel.: (0626) 481344, e-mail: dima_busov@mail. ru
Larisa A. Bityutskaya assistant professor, Department of «Physics of Semiconductors and Microelectronics», Voronezh State University; tel.: (4732) 208481, e-mail: me144@phys.vsu.ru

Keywords:

междоузельные ионы, импульсное магнитное поле, локальные нетепловые фононы, энергия активации массопереноса.

Abstract

Рассмотрен процесс перемещения междоузельных ионов в галогенидах щелочных металлов под влиянием импульсных магнитных полей. Приведен анализ составляющих энергии активации перемещения таких дефектов. Показано, что наиболее вероятным механизмом образования междоузельных ионов и вакансий при воздействии импульсного магнитного поля является пластическая деформация на стадии двойного поперечного скольжения. Предложена модель перемещения точечных дефектов по междоузлиям при наличии импульсного магнитного поля. Проведена оценка пороговых значений энергии активации массопереноса по тетраэдрическим междоузлиям.