MECHANISMS THE GROWTH OF THE FILMS In2S3 ON THE CRYSTAL InAs

Abstract

В работе проведен анализ механизмов, определяющих рост пленок In 2S3. Установлено, что наиболее су щественными в процесс е гетеровалентного замещения при росте пленок In 2S3 являются: адсорбция молекул серы (эффективная энергия десорбции 5,3 эВ), инжекция атомарной серы в приповерхностный слой твердой фазы In 2S3 и активация ее диффузии (3,3 эВ). Определены относительная диэлектрическая проницаемость (ε = 13,5÷13,6) пленок In 2S3 и геометрические размеры переходных областей в гетеросистемах In 2S3 – InAs , полученных методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешетке. Размер переходной области (порядка 30 нм) сохраняется для пленок толщиной от 200 нм до 2500 нм.