ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ КЛАССА A2IIIB3VI НА ПОДЛОЖКАХ AIIIBV

G. I. Kotov; S. V. Kuzubov; В. L. Agapov; G. A. Panin; N. N. Bezryadin

Авторы

G. I. Kotov Котов Г. И. — к.ф.-мат.н., доцент, Воронежский государственный университет инженерных технологий; e-mail: phys@vsuet.ru
S. V. Kuzubov Кузубов С. В. — к.ф.-мат.н., Воронежский государственный университет инженерных технологий; e-mail: phys@vsuet.ru
В. L. Agapov Агапов Б. Л. — к.т.н., Воронежский государственный университет инженерных технологий; e-mail: phys@vsuet.ru
G. A. Panin Панин Г. А. — аспирант, Воронежский государственный университет инженерных технологий; e-mail: phys@vsuet.ru
N. N. Bezryadin Безрядин Н. Н. — д.ф.-мат.н., профессор, Воронежский государственный университет инженерных технологий; e-mail: phys@vsuet.ru

Ключевые слова:

наногетероструктура, арсенид галлия, арсенид индия, фосфид галлия, селенид галлия, селенид индия, толщина слоев широкозонных полупроводников

Аннотация

На основе изучения кинетики образования наногетероструктур A2IIIB3VI — AIIIBV методами эллипсометрии, рентгеноспектрального микроанализа (РСМА) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) установлена корреляция результатов измерения толщины слоев широкозонных полупроводников AIII2BVI3, образующихся в процессе гетеровалетного замещения при термическом отжиге подложек полупроводников AIIIBV (GaAs-, InAs-, GaP-) в парах селена. Сделан вывод о возможности использования метода РСМА в качестве основного при изучении кинетики образования тонких пленок, включая начальные стадии формирования наногетероструктур типа A2IIIB3VI — AIIIBV.