КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР СЕЛЕНИДОВ A2 IIIB3 VI НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ GaAs И InAs

N. N. Bezryadin; G. I. Kotov; S. V. Kuzubov; В. L. Agapov; T. A. Kuzmenko

Авторы

N. N. Bezryadin Безрядин Н. Н. — профессор, зав. кафедрой физики ВГТА; тел.: (4732) 550-762; e-mail: phys@vgta.vrn.ru
G. I. Kotov Котов Г. И. — доцент, кафедра физики ВГТА; тел.: (4732) 550-762; e-mail: phys@vgta.vrn.ru
S. V. Kuzubov Кузубов С. В. — аспирант, кафедра физики ВГТА; тел.: (4732) 550-762; e-mail: phys@vgta.vrn.ru
В. L. Agapov Агапов Б. Л. — доцент, кафедра физики ВГТА; тел.: (4732) 550-762; e-mail: phys@vgta.vrn.ru
T. A. Kuzmenko Кузьменко Т. А. — доцент, кафедра физики ВГТА; тел.: (4732) 550-762; e-mail: phys@vgta.vrn.ru

Ключевые слова:

кинетика, механизм формирования, гетероструктуры, наноструктуры, ар- сенид галлия, арсенид индия, гетеровалентное замещение, селенид галлия, селенид индия.

Аннотация

Методом рентгеноспектрального микроанализа исследован элементный состав и кинетика формирования тонких (менее 15 нм) слоев селенида галлия на GaAs(100) и селенида индия на InAs(100) и (111), полученных термической обработкой в парах селена. Методом
атомносиловой микроскопии исследована топология поверхности InAs(100) до и после таких обработок. Предложен механизм образования наноструктур селенидов A2 IIIB3 V на поверхности полупроводников GaAs и InAs.