ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ GaAs ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ КОМПОЗИЦИЙ Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 И V2O5 С ОКСИДАМИ АЛЮМИНИЯ И ИТТРИЯ

T V. Kozhevnikova; P K. Penskoy; V. F. Kostryukov; I Ya. Mittova; В. L. Agapov; I. V. Kuznetsova; S V. Kutsev

Авторы

T V. Kozhevnikova Кожевникова Татьяна Викторовна — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем химического факультета, Воронежский государственный университет; e-mail: kozhevnikova-tv@yandex.ru
P K. Penskoy Пенской Петр Константинович — научный сотрудник кафедры материаловедения и индустрии на- носистем химического факультета, Воронежский государственный университет; e-mail: sad666@hotbox.ru
V. F. Kostryukov Кострюков Виктор Федорович — доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; e-mail: vc@chem. vsu.ru
I Ya. Mittova Миттова Ирина Яковлевна — профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем химическо- го факультета, Воронежский государственный университет, тел.: (4732) 531213, e-mail: imittov@yahoo.co.uk
В. L. Agapov Агапов Борис Львович — сотрудник центра коллективного пользования, Воронежский государственный университет
I. V. Kuznetsova Кузнецова Ирина Владимировна — доцент кафедры общей и неорганической химии, Воронежская государственная технологическая академия; e-mail: kuznetsovaiv@mail.ru
S V. Kutsev Куцев Сергей Викторович — Московский институт стали и сплавов

Ключевые слова:

полупроводники, тонкие пленки, окисление, хемостимулятор, нелинейность.

Аннотация

Использование оксидных композиций, состоящих из хемостимулятора (Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2,V2O5) и инертного по отношению к окисляемому полупроводнику оксида (Al2O3, Y2O3) позволило обнаружить линейное изменение толщины оксидного слоя на GaAs в
зависимости от состава композиций, представляющее собой аддитивную прямую. Для композиций с участием Y2O3 эта аддитивность зафиксирована во всем интервале составов. При отсутствии взаимодействий между оксидами в композициях, заключающихся в образовании совместных фаз и твердых растворов, выявлены дополнительные факторы, обусловливающие отклонения от аддитивности. В присутствии Al2O3 изменяется режим собственных превращений оксидов-хемостимуляторов композиции, приводящих, в конечном счете, к изменению характера их воздействия на оксидирование GaAs.