ТРАНЗИТНОЕ И КАТАЛИТИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIIBV С НАНЕСЕННЫМИ НАНОРАЗМЕРНЫМИ СЛОЯМИ ОКСИДОВ КОБАЛЬТА И ВАНАДИЯ РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНЫ

Boris V. Sladkopevtcev; Alexander A. Lapenko; Alexei A. Samsonov; Elena V. Tomina; Irina Ya. Mittova

Авторы

Boris V. Sladkopevtcev Сладкопевцев Борис Владимирович — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем Воронежского государственного университета; тел.: (905) 6505334, e-mail: sladkopevtcev@km.ru
Alexander A. Lapenko Лапенко Александр Александрович — инженер кафедры материаловедения и индустрии наносистем Во- ронежского государственного университета; тел.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru
Alexei A. Samsonov Самсонов Алексей Алексеевич — ассистент кафедры материаловедения и индустрии наносистем Воронеж- ского государственного университета; тел.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru
Elena V. Tomina Томина Елена Викторовна — доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем Воронежского государственного университета; тел.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru
Irina Ya. Mittova Миттова Ирина Яковлевна — профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем Воронеж- ского государственного университета; тел.: (4732) 208356, e-mail: inorg@chem.vsu.ru

Ключевые слова:

гетероструктура, хемостимулированное окисление, транзит, катализ, арсе- нид галлия, фосфид индия.

Аннотация

Установлено влияние количества нанесенного на поверхность AIIIBV хемостимулятора на процесс окисления полупроводника при развитии транзитного, либо каталитического воздействия хемостимулятора. При реализации транзитного взаимодействия слой нанесенного оксида d-металла практически необратимо расходуется в процессе окисления. При уменьшении толщины слоя оксида-транзитора на поверхности полупроводника быстрее происходит его полная трансформация в продукты вторичного взаимодействия. В случае каталитического механизма окисления количество нанесенного хемостимулятора заметно не влияет на кинетические параметры процесса, что связано с быстрой регенерацией высокой степени окисления активного элемента хемостимулятора.