ROLE OF ACTIVE CENTERS V2O5 IN THE OXIDATION PROCESS OF InP
Abstract
Методом электровзрыва проводника сформированы наноостровковые структуры (V2O5)InP. Установлено влияние условий электровзрывного синтеза (расстояния между взрываемой проволокой и подложкой, длины проволоки, давления газа в системе) на характеристики полученных островков V2O5. Показано, что нанесенные на поверхность InP островки оксида ванадия выступают в роли активных центров в процессе термического окисления полупроводника при температурах 400, 500 и 550 °С. Максимальное увеличение скорости роста пленок на поверхности InP с островками по сравнению с собственным окислением проявляется на начальном (до 10 минут) этапе процесса. Изучена морфология поверхности полученных слоев на фосфиде индия.
Downloads
References
2. Лернер М. И., Давыдович В. И. и др. // Физическая мезомеханика. 2004. Т. 7. Специальный выпуск S2. С. 340—343.
3. Мутас И. Ю., Ильин А. П. // Известия Томского политехнического университета. 2004. Т. 307. № 4. С. 89—92.
4. Иванов В. Г., Гаврилюк О. В. // Физика горения и взрыва. 1999. Т. 35. № 6. С. 53—60.
5. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2010. Т. 46. № 4. С. 441—446.
6. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. С. 496.
7. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2005. Т. 41. № 3. С 1—5.
8. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2004. Т. 40. № 5. С 519—523.
9. Лапенко А. А. и др. // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 11. С. 1293—1299.
10. Иевлев В. М., Миттова И. Я. и др. // Доклады РАН. 2007. Т. 417. № 4. С. 1—5.