ОСОБЕННОСТИ ХЕМОСТИМУЛИРОВАННОГО ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ ФОСФИДА ИНДИЯ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МЕТОДА НАНЕСЕНИЯ ХЕМОСТИМУЛЯТОРА V2O5 НА ПОВЕРХНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКА
Ключевые слова:
хемостимулированное оксидирование, фосфид индия, оксид ванадия (V), магнетронное распыление, электрический взрыв проводника.Аннотация
Установлено, что реализация каталитического либо транзитного механизма хемостимулирующего действия V2O5, нанесенного на поверхность InP, определяется методом формирования оксидируемой структуры — жестким или мягким. Жесткие методы — магнетронное распыление и электрический взрыв проводника — способствуют протеканию процесса оксидирования по каталитическому механизму. Мягкий метод модифицирования гелем V2O5 определяет транзитный механизм хемостимулированного оксидирования. Максимальная степень блокировки диффузии неокисленного индия в пленку достигается при использовании
жесткого метода нанесения хемостимулятора на поверхность полупроводника — магнетронного распыления.






