ФАЗОВАЯ ДИАГРАММА СИСТЕМЫ Ga–S В ОБЛАСТИ СОСТАВОВ 48.0–60.7 МОЛ.% S
DOI:
https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/208Ключевые слова:
фазовая диаграмма, термические методы анализа, хроматотермографический анализ, дифференциальный термический анализ, рентгеноструктурный анализАннотация
Целью настоящей работы является исследование фазовой T-x-диаграммы системы Ga – S в концентрационной области 48.0 – 60.7 мол. % S при температурах до 1150 °С. В качестве основного метода исследования был использован дифференциальный термический анализ (ДТА) при низких скоростях нагревания (< 1 K/мин). Данные ДТА сопоставлялись с результатами разработанного авторами метода хроматотермографического анализа (ХТА), позволяющего проводить исследования в статическом режиме, а также с данными высокотемпературного рентгенофазового анализа (ВТ РФА). Установлено, что в противоположность низкотемпературной части диаграммы, где присутствуют только фазы Ga2S3 и GaS, высокотемпературная часть (870 – 1110 °С) данной T-x-диаграммы оказывается сложной. Обосновывается, что в узкой области составов (59.0 – 60.7 мол.% S) существуют три различающиеся по составу фазы, обозначенные как σσ, Ga2S3' и Ga2S3. σσ-Фаза с содержанием серы около 59.0 мол. % S существует в весьма узком температурном интервале (877 – 922 °C) и распадается при температуре около 922 °С по перитектической реакции
σ⇄L+Ga2S′3.
