Electrophysical measurements solid solutions InxAl1-xAs

Ekaterina A. Mikhailyuk; Tatyana V. Prokopova; Dmitry A. Zhukalin

doi:10.17308/kcmf.2019.21/720

Авторы

Ekaterina A. Mikhailyuk Старооскольский технологический институт имени А.А. Угарова (филиал) Национального исследовательского технологического университета МИСиС м-н Макаренко, 42, 309500 Старый Оскол, Белгородская обл., Российская Федерация
Tatyana V. Prokopova Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил «Военно-воздушная академия имени профессора Н. Е. Жуковского и Ю. А. Гагарина» ул. Старых Большевиков, 54 «А», 394064 Воронеж, Российская Федерация
Dmitry A. Zhukalin Воронежский государственный университет Университетская пл., 1, 394018 Воронеж, Российская Федерация

DOI:

https://doi.org/10.17308/kcmf.2019.21/720

Ключевые слова:

твердые растворы,, центр локализации заряда,, дифференциальная проводимость,, емкость

Аннотация

Методом вольт-фарадных характеристик исследованы тонкие (~ 1 мкм) преднамеренно нелегированные слои In_xAl_1-xAs, выращенные методом MBE на полуизолирующей подложке InP. Показано, что исследованные при комнатной температуре слои In_xAl_1-xAs имеют n – тип проводимости. При экспериментальном исследовании температурных зависимостей дифференциальной проводимости обнаружен центр локализации заряда, эффективное значение энергии которого находится в запрещенной зоне твердого раствора In_xAl_1-xAs (, E_g = 1.5 эВ) и составляет ~ 0.49 эВ до верха зоны проводимости твердого раствора.

БЛАГОДАРНОСТИ

Авторы выражают искреннюю благодарность всему коллективу Новосибирского Института физики полупроводников СО РАН, лично Гилинскому Александру Михайловичу за предоставленные образцы и Воронежскому государственному университету инженерных технологий за плодотворное обсуждение полученных экспериментальных результатов.

ЛИТЕРАТУРА

Yamashita Y., Endoh A., Shinohara K., Hikosaka K., Matsui T, Hiyamizu S., Mimura T. IEEE Electron Device Letters, 2002, vol. 23, iss. 10, p. 573. https://doi.org/10.1109/led.2002.802667
Chang E.-Y., Kuo C.-I., Hsu H.-T., Chiang C.-Y., Miyamoto Y. Applied Physics Express, 2013, vol. 6, iss. 3, p. 34001. https://doi.org/10.7567/apex.6.034001
del Alamo A. Nature, 2011, vol. 479, pp. 317-323. https://doi.org/10.1038/nature10677
Stillman W. J., Shur. M. S. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2007, vol. 2, no. 3, pp. 209-221. https://doi.org/10.1166/jno.2007.301
Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Wiley, 2009, p. 422.
Denton A. R., Ashcroft N. W. Rev. A., 1991, vol. 43, iss. 6, pp. 3161-3164. https://doi.org/10.1103/physreva.43.3161
Vurgaftman , Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. J. Appl. Phys., 2001, vol. 89, iss. 11, pp. 5815-5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156
Sze S. M. Physicsof Semiconductor Devices. Wiley, 1969, 2nd Ed. 1981, 868 p.
Casey H. C., Cho A. Y., Lang D. V., Nicollian E. H., Foy P. W. Appl. Phys., 1979, vol. 50, iss. 5, pp. 3484-3491. https://doi.org/10.1063/1.326343
Forrest S. R., Kim O. K. Appl. Phys., 1982, vol. 53, iss. 8, pp. 5738. https://doi.org/10.1063/1.331462