СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (AlxGa1–xAs)1–yCy
Ключевые слова:
твердые растворы, (AlxGa1–xAs)1–yCy, МОС-гидридная эпитаксия.
Аннотация
При высоких концентрациях углерода (y-> 0.001) атомы примеси могут концентрироваться на дефектах кристаллической решетки МОС-гидридного эпитаксиального низкотемпературного твердого раствора (AlxGa1–xAs)1–yCy с образованием нанокластеров углерода.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Pearton S. J., et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. I. 13. P. 1263.
2. Ren F., et al. // IEEE Electron Device Lett. 1993. V. 14. I. 7. P. 332.
3. Ren F., et al. // Solid State Electron. 1995. V. 38. I.9. P. 1635.
4. Shiralagi K., Walther M., Tsui R. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 164. I. 1—4. P. 334.
5. Linden K. J., et al. // Photonics Spectra. 1991. V. 25. P. 91.
6. Bursky D. // Electron. Design. 1990. V. 9. P. 152.
7. Tsen T., et al. // 15-th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. New York, IEEE. 1993. P. 193—196.
8. Mii Y. J., Karunasiri R. P. G., Wang K. L. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 53. I. 21. P. 2050.
9. Saunier P., et al. // 10-th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. New York, IEEE. 1988. P. 37—39.
10. Thiede A., et al. // 20-th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. New York, IEEE. 1998. P. 34—43.
11. Fleischer S., Beling C. D., and S. Fung. // Journal of Applied Physics. 1997. V. 81. I. 1. P. 190—198.
12. Gaber A., Zillgen H., Ehrhart P., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 5348.
13. Середин П. В., Глотов А. В., Домашевская Э. П. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 2. С. 194—199.
14. Handbook of Semiconductors Technology. Processing of Semiconductors / Edited by K.A. Jackson and W. Schroter. Volume 2 // Wiley-VCH Verlag. 2000.
15. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. Т. 8. С. 4.
16. Середин П. В., Домашевская Э. П., Руднева В. Е. и др. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 9. С. 1261—1266.
17. Середин П. В., Глотов А. В., Домашевскя Э. П. и др. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 12. С. 1654—1661.
18. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Physica B: Condensed Matter. 2010. Т. 405. № 12. С. 2694—2696.
19. Goldberg Yu. A. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur // World Scientific, London. 1999. V. 2. P. 1.
20. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Physica B:Condensed Matter 2010. V. 405. I. 12. P. 2694—2696.
21. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2009. Т. 43. № 12. С. 1610—1616.
22. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2010. Т. 44. № 2. С. 184—188.
2. Ren F., et al. // IEEE Electron Device Lett. 1993. V. 14. I. 7. P. 332.
3. Ren F., et al. // Solid State Electron. 1995. V. 38. I.9. P. 1635.
4. Shiralagi K., Walther M., Tsui R. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 164. I. 1—4. P. 334.
5. Linden K. J., et al. // Photonics Spectra. 1991. V. 25. P. 91.
6. Bursky D. // Electron. Design. 1990. V. 9. P. 152.
7. Tsen T., et al. // 15-th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. New York, IEEE. 1993. P. 193—196.
8. Mii Y. J., Karunasiri R. P. G., Wang K. L. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 53. I. 21. P. 2050.
9. Saunier P., et al. // 10-th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. New York, IEEE. 1988. P. 37—39.
10. Thiede A., et al. // 20-th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., Tech. Digest. New York, IEEE. 1998. P. 34—43.
11. Fleischer S., Beling C. D., and S. Fung. // Journal of Applied Physics. 1997. V. 81. I. 1. P. 190—198.
12. Gaber A., Zillgen H., Ehrhart P., et al. // Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 5348.
13. Середин П. В., Глотов А. В., Домашевская Э. П. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 2. С. 194—199.
14. Handbook of Semiconductors Technology. Processing of Semiconductors / Edited by K.A. Jackson and W. Schroter. Volume 2 // Wiley-VCH Verlag. 2000.
15. Domashevskaya E. P., Seredin P. V., Lukin А. N., et al. // Surface and Interface Analysis. 2006. Т. 8. С. 4.
16. Середин П. В., Домашевская Э. П., Руднева В. Е. и др. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 9. С. 1261—1266.
17. Середин П. В., Глотов А. В., Домашевскя Э. П. и др. // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 12. С. 1654—1661.
18. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Physica B: Condensed Matter. 2010. Т. 405. № 12. С. 2694—2696.
19. Goldberg Yu. A. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur // World Scientific, London. 1999. V. 2. P. 1.
20. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Physica B:Condensed Matter 2010. V. 405. I. 12. P. 2694—2696.
21. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2009. Т. 43. № 12. С. 1610—1616.
22. Seredin P. V., Glotov A. V., Domashevskaya E. P., et al. // Semiconductors. 2010. Т. 44. № 2. С. 184—188.
Опубликован
2012-12-20
Как цитировать
Seredin, P. V., Domashevskaya, E. P., Arsentyev, I. N., & Tarasov, I. S. (2012). СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (AlxGa1–xAs)1–yCy. Конденсированные среды и межфазные границы, 14(4), 466-471. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1007
Выпуск
Раздел
Статьи
