РОЛЬ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ V2O5 В ПРОЦЕССЕ ОКИСЛЕНИЯ InP
Ключевые слова:
фосфид индия, оксид ванадия (V), хемостимулированное окисление, остров- ковые наноструктуры, электровзрыв.
Аннотация
Методом электровзрыва проводника сформированы наноостровковые структуры (V2O5)InP. Установлено влияние условий электровзрывного синтеза (расстояния между взрываемой проволокой и подложкой, длины проволоки, давления газа в системе) на характеристики полученных островков V2O5. Показано, что нанесенные на поверхность InP островки оксида ванадия выступают в роли активных центров в процессе термического окисления полупроводника при температурах 400, 500 и 550 °С. Максимальное увеличение скорости роста пленок на поверхности InP с островками по сравнению с собственным окислением проявляется на начальном (до 10 минут) этапе процесса. Изучена морфология поверхности полученных слоев на фосфиде индия.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Литература
1. Бурцев В. А., Калинин Н. В., Лучинский А. В. Электрический взрыв проводников и его применение в электрофизических установках. М.: Энергоатомиздат, 1990. 288 с.
2. Лернер М. И., Давыдович В. И. и др. // Физическая мезомеханика. 2004. Т. 7. Специальный выпуск S2. С. 340—343.
3. Мутас И. Ю., Ильин А. П. // Известия Томского политехнического университета. 2004. Т. 307. № 4. С. 89—92.
4. Иванов В. Г., Гаврилюк О. В. // Физика горения и взрыва. 1999. Т. 35. № 6. С. 53—60.
5. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2010. Т. 46. № 4. С. 441—446.
6. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. С. 496.
7. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2005. Т. 41. № 3. С 1—5.
8. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2004. Т. 40. № 5. С 519—523.
9. Лапенко А. А. и др. // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 11. С. 1293—1299.
10. Иевлев В. М., Миттова И. Я. и др. // Доклады РАН. 2007. Т. 417. № 4. С. 1—5.
2. Лернер М. И., Давыдович В. И. и др. // Физическая мезомеханика. 2004. Т. 7. Специальный выпуск S2. С. 340—343.
3. Мутас И. Ю., Ильин А. П. // Известия Томского политехнического университета. 2004. Т. 307. № 4. С. 89—92.
4. Иванов В. Г., Гаврилюк О. В. // Физика горения и взрыва. 1999. Т. 35. № 6. С. 53—60.
5. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2010. Т. 46. № 4. С. 441—446.
6. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. С. 496.
7. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2005. Т. 41. № 3. С 1—5.
8. Миттова И. Я. и др. // Неорганические материалы. 2004. Т. 40. № 5. С 519—523.
9. Лапенко А. А. и др. // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 11. С. 1293—1299.
10. Иевлев В. М., Миттова И. Я. и др. // Доклады РАН. 2007. Т. 417. № 4. С. 1—5.
Опубликован
2011-03-10
Как цитировать
Sladkopevtcev, B. V., Tomina, E. V., & Mittova, I. Y. (2011). РОЛЬ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ V2O5 В ПРОЦЕССЕ ОКИСЛЕНИЯ InP. Конденсированные среды и межфазные границы, 13(1), 96-104. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1027
Выпуск
Раздел
Статьи
