ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ В КВАЗИТРОЙНОЙ СИСТЕМЕ InP — InAs — InSb
Аннотация
На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса смешения установлены координаты поверхности сольвуса в квазитройной системе InP — InAs — InSb. Методами рентгенофазового анализа подтверждено, что в этой
системе при комнатной температуре однородными являются твердые растворы с содержанием арсенида индия более 90 мол. %.
Скачивания
Литература
2. Боднарь И. В., Матяс Э. Е. // Ж. неорган. химии. 1977. Т. 22. № 3. С.796—799.
3. Stringfellow G. B., Greene P. E. // J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. № 5. P. 805—811.
4. Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Шумская О. Н. // Ж. неорган. химии. 2005. Т. 50. № 4. С. 710—713.
5. Удовский А. Л., Вамберский Ю. В., Иванов О. С. // Докл. АН СССР. 1973. Т. 209. С. 1377—1380.
6. Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Шумская О. Н. // Ж. физич. химии. 2004. Т. 78. № 6. С. 980—984.
7. Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974. 392 с.