ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ДИСПРОЗИЕМ НА ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ХЛОРИСТОГО СЕРЕБРА

Konstantin Bocharov; Evgeniya Rabenok; Gennady Novikov; Oleg Ovchinnikov; Ninel Lichkova; Nataliya Tikhonina; Anatoly Latyshev

Konstantin Bocharov Бочаров Константин Викторович — с.н.с., Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН); тел.: (496) 5221842, e-mail: kostya55b@rambler.ru
Evgeniya Rabenok Рабенок Евгения Витальевна — с.н.с., Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН); тел.: (496) 5221842, e-mail: rabenok@icp.ac.ru
Gennady Novikov Новиков Геннадий Федорович — зав. лаб., Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН); тел.: (496) 5221842; e-mail: ngf@icp.ac.ru
Oleg Ovchinnikov Овчинников Олег Владимирович — зав. каф., Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 208780; e-mail: ovchinnikov_o_v@rambler.ru
Ninel Lichkova Личкова Нинель Васильевна — зав. лаб., Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН; тел.: (496) 5244185; e-mail: lichkova@ iptm-hpm.ac.ru
Nataliya Tikhonina Тихонина Наталья Александровна — инженер- исследователь, Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН); тел.: (496) 5221842; e-mail: ngf@icp. ac.ru
Anatoly Latyshev Латышев Анатолий Николаевич — проф., Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 208780; e-mail: anlat@rambler.ru

Ключевые слова: галогениды серебра, хлорид диспрозия, СВЧ-фотопроводимость, фотолюминесценция.

Аннотация

Исследовано влияние легирования хлоридом диспрозия (до концентраций 10–1 мас.%) на СВЧ-фотопроводимость, фотолюминесценцию и фотостимулированную вспышку люминесценции (ФСВЛ) плавленных образцов хлорида серебра. Обнаружено, что легирование уже при концентрациях 5·10–7 мас.% приводит к заметному изменению кинетики гибели фотогенерированных электронов (300 К) и спектров люминесценции, а также параметров ФСВЛ (77 К). При концентрациях легирующей добавки > 10–6 мас.% наблюдается полоса люминес-
ценции lmax = 470 нм. Показано, что эта полоса обусловлена заряженными [Dy••Ag · V /Ag]• или нейтральными [Dy••Ag · 2V /Ag]x ассоциатами. Длиноволновое плечо (570 нм) в спектрах люминесценции отнесено к внутрицентровым переходам в ионах Dy3+. Обнаружено влияние легирования образцов на скорость спада высвечиваемой светосуммы ФСВЛ при выдерживании образцов
в темноте. Анализ показал, что это влияние обусловлено преобразованием дырочных ловушек в сторону увеличения доли глубоких. Оценена константа скорости реакции захвата электрона в ловушки, образующиеся при введении легирующей добавки: kзахв = (3—5)·10–8 см3·с–1. Предполагается, что ловушками являются ионы диспрозия Dy3+.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Вострикова Ю.В., Клюев В.Г. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 3. С. 277—281.
2. Личкова Н.В., Загороднев В.Н., Бутвина Л.Н. и др. // Квант. Электроника. 2009. Т. 39. № 3. С. 283.
3. Nagli L., Gayer O. and Katzir A. // Opt. Lett. 2005. V. 30. P. 1831.
4. Shafi r I., Nagli L. and Katzir A. // Appl.Phys. Lett. 2009. V. 94. № 23. P. 1907.
5. Seki Y., Furukawa Y. // Jap. J. Appl. Phys. 1971. V. 10. P. 529—530.
6. Каминский А.А., Курбанов К., Уварова Т.В. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т. 23. С. 1049.
7. Каминский А.А., Аминов Л.К., Ермолаев В.Л. и др. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. М.: Наука, 1986. 121 с.
8. Грибковский В.П. Полупроводниковые лазеры. Учеб. пособие по спец. «Радиофизика и электроника». Мн.: Университетское. 1988. 304 с.
9. Личкова Н.В., Загороднев В.Н. // Высокочистые вещества. 1991. № 3. С.19—38.
10. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 10. С. 1167.
11. Новиков Г.Ф., Маринин А.А., Рабенок Е.В. // ПТЭ. 2010. № 2. С. 83.
12. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С. // ЖНиПФ. 2003. Т. 48. № 5. С. 47.
13. Рабенок Е.В., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф., Один И.Н. // ФТП. 2009. Т. 43. № 7. С. 878.
14. Deri R.J., Spoonhower J.P. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25. № 4. P. 2821—2827.
15. Грабчак С.Ю., Новиков Г.Ф., Моисеева Л.С., Любовский М.Р., Алфимов М.В. // ЖНиПФиК. 1990. Т. 35. № 2. С. 134.
16. Матвеев А.Н. Оптика. М.: Высшая школа, 1985. 351 с.
17. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого изображения. М.: Наука, 1972. 399 с.
18. Чибисов К.В. Природа фотографической чувствительности. М.: Наука, 1980. 404 с.
19. Белоус В.М., Чибисов К.В. // ДАН СССР. 1969. Т. 187. № 3. С. 593—596.
20. Феофилов П.П. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1962. Т. 26. С. 435.
21. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса. М.: Эдиториал УРСС. 2000. 288 с.
22. Рабенок Е.В., Голованов Б.И., Новиков Г.Ф. // Журн. Научн.и прикл. Фотогр. 2003. Т. 48. № 4. С. 22—26.
23. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С. // Жур. прикл. спектроскопии. 2004. Т. 71. № 2. С. 223—226.
24. Deri R.J., Spoonhower J.P. // Appl. Ph ys. Lett. 1983. V. 43. № 1. P. 65—67.