ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS–Ag2S
Аннотация
В работе приведены результаты исследования систем, состоящих из двух типов квантовых точек: CdS и Ag2S, имеющих разный тип кристаллических решеток. Синтезированы квантовые точки сульфида кадмия в желатиновой матрице с помощью золь-гель технологии. Средний размер квантовых точек CdS с кристаллической решеткой кубической модификации составил 2-4 нм. В процессе синтеза квантовых точек CdS в реактор добавлялись ионы серебра в концентрациях с соотношением мольных долей относительно ионов кадмия равных СAg = 10-2, 2.2 ∙ 10-2, 4.6 ∙ 10-2, 10-1, 2.2 ∙ 10-1, 4.6 ∙ 10-1, 1 : 1. Начиная с концентрации СAg = 10-2, образуются квантовые точки Ag2S, имеющие моноклинную кристаллическую решетку и люминесценцию в области спектра 1100-1300 нм, интенсивность которой увеличивается при увеличении СAg. В диапазоне СAg = 10-2 - 2.2 ∙ 10-1 часть ионов серебра входит легирующей добавкой в квантовые точки CdS, образует центры люминесценции, увеличивая интенсивность общей полосы люминесценции в области спектра 550-650 нм. Сделан вывод о том, что в результате присутствия в реакторе во время синтеза ионов серы, кадмия и серебра образуются квантовые точки двух типов: CdS и Ag2S. Данная система имеет две полосы люминесценции в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. Такие материалы могут найти применение в качестве излучающих приборов, имеющих полосы люминесценции в двух разных областях спектра.
Спектры поглощения, изображения квантовых точек, полученные с помощью ПЭМ, и рентгеновские дифрактограммы измерены на оборудовании ЦКП НО ВГУ.
Скачивания
Литература
2. Wuister S. F, Meijerink A. J. of Luminescence, 2003, vol. 102 – 103, pp. 338 – 343. http://doi.org/10.1016/S0022-2313(02)00525-2
3. Nanda J., Beena Annie Kuruvilla, Sarma D. D. Phys. Rev. B. 1999, vol. 59, no. 11. pp. 7473 – 7479. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.7473
4. Lee H. L. J. of Nanomaterials, 2009, vol. 2009, ID 914501, pp. 1 – 9. DOI: http://dx.doi.org/10.1155/2009/914501
5. Kim D. J. Phys. Chem. C, 2008, vol. 112, pp. 10668 – 10673. DOI:10.1021/jp8009172
6. Rayevska O. E. J. Phys. Chem. C, 2010, vol. 114, pp. 22478 – 22486. DOI:10.1021/jp108561u
7. Ovchinnikov O. V., Smirnov M. S., Shapiro B. I., Shatskih T. S., Perepelica A. S., Korolev N. V. Semiconductors, 2015, vol. 49, № 3, pp. 385 – 391. DOI:10.1134/S1063782615030173
8. Aliev F. F., Dzhafarov M. B., Jeminova V. I. Semiconductors, 2010, vol. 44, № 6, pp.749. DOI: 10.1134/S1063782610060059
9. Goglidze T., Dement'ev I., Zadorozhnyj A., Sobolevskaja R. Revista Stiinyifica a Universitatii de Stat din Moldova, 2011, nr. 7(47), p. 5.
10. Brus L. E. J. Chtm. Phys., 1984, vol. 80, pp. 4403 – 4409. DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.447218
11. Chen R., Nuhfer N. T., Moussa L., Morris H. R., Whitmore P. M. Nanotechnology, 2008, vol. 19, no. 45, 455604 (11pp). DOI: http://iopscience.iop.org/0957-4484/19/45/455604
12. Akamatsu K., Takei Sh., Mizuhata M., Kajinami A., Deki Sh., Takeoka Sh., Fujii M., Hayashi Sh., Yamamoto K. Thin Sol. Films, 2000, vol. 359 no. 1, p. 55. DOI: http://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00684-7