СОБСТВЕННОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ GaP КАК ОСНОВА ВЫБОРА ФУНКЦИЙ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ

Boris V. Sladkopevtcev; Irina Ya. Mittova; Elena V. Tominа; Anatoly N. Lukin; Aleksey I. Dontsov; Anna А. Solovyeva; Mariya А. Klimova

doi:10.17308/kcmf.2017.19/221

Boris V. Sladkopevtcev Сладкопевцев Борис Владимирович – к. х. н., доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208-356. e-mail: dp-kmins@yandex.ru
Irina Ya. Mittova Миттова Ирина Яковлевна – д. х. н., профессор, профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208-356, e-mail: imittova@mail.ru
Elena V. Tominа Томина Елена Викторовна – к. х. н., доцент, доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7 (473) 2317-548, e-mail: tomina-e-v@yandex.ru
Anatoly N. Lukin Лукин Анатолий Николаевич – к. ф-м. н., доцент, доцент кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет; тел.: + 7 (950) 7548707; e-mail: alukin@phys.vsu.ru
Aleksey I. Dontsov Донцов Алексей Игоревич – к. ф-м. н., преподаватель кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(951) 8656292; e-mail: dontalex@mail.ru
Anna А. Solovyeva Соловьёва Анна Алексеевна – аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: +7(951) 8724409; e-mail: annasolo1990@mail.ru
Mariya А. Klimova Климова Мария Алексеевна – магистрант кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет; тел.: + 7 (920) 4617687; e-mail: mashery93@mail.ru

DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/221

Ключевые слова: фосфид галлия, термооксидирование, наноразмерные плёнки

Аннотация

Установлено, что термооксидирование GaP кислородом при 650-750 ºС приводит к формированию наноразмерных, толщиной не более 100 нм (СЭ, РЭМ), плёнок состава GaPO4 и Ga(PO3)3 с небольшим содержанием Ga2O3 (РФА, ИКС). На их неоднородной поверхности присутствуют поры (АСМ, РЭМ), связанные с испарением P2O5. GaP отличается от InP и GaAs формированием регулярных плёнок собственного оксида при более высоких температурах (от 650 °С), отсутствием в них неокисленных компонентов подложки (ОЭС) и диэлектрическими свойствами. Для снижения температуры, увеличения скорости роста, достижения требуемой морфологии поверхности и варьируемых в широких пределах оптических и электрофизических свойств предложено хемостимулированное термооксидирование GaP.

Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (№ 16-43-360595р_а). Исследования проведены с использованием оборудования Центра коллективного пользования научным оборудованием Воронежского госуниверситета.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Allen C. R., Woodall J. M., Jeon J.-H. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2011, vol. 95, no. 9, рp. 2655–2658. DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.05.034
2. Blank T. V., Gol'dberg Yu. A. Semiconductors, 2003, vol. 37, no. 9, pp. 999-1055. DOI: 10.1134/1.1610111.
3. Varganova V. S., Kravchenko N. V., Patrin V. M., Trishenkov M. A., Khakuashev P. E., Chinareva I. V. Plasma Physics Reports, 2015, no. 1, pp. 80–82. Available at: http://applphys.orion-ir.ru/appl-15/15-1/PF-15-1-80.pdf
4. Pozhar L. A. Virtual Synthesis of Nanosystems by Design. From First Principles to Applications. Elsevier, 2015, рp. 147–190. DOI: 10.1016/B978-0-12-396984-2.00004-2
5. Schwartz G. P., Gualtieri G. J., Griffiths J. E., Thurmond C. D., Schwartz B. J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science And Technology, 1980, vol. 127, no. 11, рp. 2488–2499. DOI: 10.1149/1.2129502
6. Mittova I. Ya., Shvets V. A., Tomina E. V., Sladkopevtsev B. V., Tret'yakov N. N., Lapenko A. A. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no. 10, pp. 963–970. DOI: 10.1134/S0020168513100075
7. NIST Chemistry WebBook. National Institute of Standards and Technology. Available at: http://webbook.nist.gov/chemistry/form-ser.html
8. Diffraction Data. Catalog v. 2.4. International Centre for Diffraction Data. Available at: http://www.icdd.com/translation/rus/pdf2.htm
9. Tourtin F., Ibanez A., Haidoux A. Thin Sol. Films, 1996, vol. 279, no. 1-2, рp. 59–65. DOI: 10.1016/0040-6090(95)08136-4
10. Kato Y., Geib K. M., Gann R. G., Brusenback P. R., Wilmsen C. W. J. Vac. Sci. Technol, 1984, vol. 2, no. 2, рp. 588–592. DOI: 10.1116/1.57245
11. Wilmsen W. Physics and Chemistry of III - V Compound Semiconductor Interfaces. Plenum Press. New York, 1985, р. 465. DOI: 10.1007/978-1-4684-4835-1
12. Epple. H. J., Chang K. L., Pickrell G. W., Cheng K. Y. Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 77, no. 8, рp. 1161–1163. DOI: 10.1063/1.1286871
13. Gunnar S. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 1973, vol. 2, рp. 75–86. DOI: 10.1016/0368-2048(73)80049-0
14. Martienssen W., Warlimont H. Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data. Berlin, Springer, 2005, р. 1121. DOI: 10.1007/3-540-30437-1
15. Mittova I. Ya. Inorganic Materials, 2014, vol. 50, no. 9, pp. 874–881. DOI: 10.1134/S0020168514090088