ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ДИСУЛЬФИДА МОЛИБДЕНА MoS2 НА МЕТАЛЛИЧЕСКОМ МОЛИБДЕНЕ ПРИ РАЗНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ

E. P. Domashevskaya; S. A. Ivkov; Al Khaylanani Hasan Ismail Dambos; Radam Ali Obaid Radam; S. V. Ryabtsev

doi:10.17308/kcmf.2018.20/477

E. P. Domashevskaya Домашевская Эвелина Павловнад. ф.-м. н., профессор, зав. кафедрой физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет; тел.: +7(473) 2208363, e-mail: ftt@phys.vsu.ru
S. A. Ivkov Ивков Сергей Александрович - аспирант кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет
Al Khaylanani Hasan Ismail Dambos Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос - аспирант кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет
Radam Ali Obaid Radam Радам Али Обайд Радам - магистр кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет
S. V. Ryabtsev Рябцев Станислав Викторович - д. ф.-м. н., старший научный сотрудник кафедры физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет; тел.: +7(951) 5609911, e-mail: ryabtsev@phys.vsu.ru

DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/477

Ключевые слова: двухтемпературный синтез, металлический молибден, дисульфид молиб- дена, политипы, гексагональная модификация, ромбоэдрическая модификация.

Аннотация

В работе изучено влияние температуры на фазовый состав тонких слоев, образующихся на металлических пластинах молибдена при переносе паров серы газом-носителем аргоном из низкотемпературной в высокотемпературную зону реактора (двухтемпературный синтез). Результаты исследования методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии образцов дисульфидов молибдена MоS₂, полученных на металлических пластинах молибдена при различных температурах, показывают, что при высоких температурах синтеза в интервале 800-1000 °C на пластинах молибдена образуются дисульфиды молибдена разных модификаций/политипов: гексагональной Р6₃/mmc при 800 °C и ромбоэдрической (тригональной) R3m при 1000 °C. При температуре 1000 °C происходит формирование микрокристаллов MоS₂с огранкой, соответствующей ромбоэдрической фазе R3m.

Работа выполнена при поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания ВУЗам в сфере научной деятельности на 2017-2019 годы. Проекты № 3.6263.2017/ВУ и № 16.8158.2017/8.9.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Irtegov Yu. A., Yavorovsky N. A. News of Higher Educational Institutions. Physics, 2012, vol. 55, no. 5/2, pp. 140-145. (in Russ.)
2. Bhupendra Mor, Madhvi Dave, Vidhi Raval. International Journal on Recent and Innovation Trends in Computing and Communication ISSN: 2321-8169, 2014, vol. 2, no. 11, p. 3578-3582. Available at: http://www.ijritcc.org/download/1418296204.pdf
3. Mishina E. D., Sherstyuk N. E., Shestakova A. P., Lavrov S. D., Semin S. Sigov S. V., Mitioglu A., Angel S., Kulyuk L. Semiconductors, 2015, vol. 49, no. 6, pp. 791-796. DOI: 10.1134/S1063782615060159
4. Shestakova A. P., Lavrov S. D., Mishina E. D. Materialy Mezhdunarodnoi nauchno-tekhnicheskoi konferentsii [Proc. of the International Scientific and Technical Conference. December 1 - 5, 2015 Moscow, INTERMATIC, part 1]. 2015, MIREA, pp. 107-110.
5. CPDS - International Center for Diffraction Data. 2012, no. 00-004-0809.
6. CPDS - International Center for Diffraction Data. 2012, no. 00-006-0097.
7. CPDS - International Center for Diffraction Data. 2012, no. 00-017-0744.
8. CPDS - International Center for Diffraction Data. 2012, no. 00-005-508 MoO3.
9. Qingqing Ji, Yanfeng Zhang, Teng Gao, Zhang Yu, Donglin Ma, Mengxi Liu, Yubin Chen, Xiaofen Qiao, Ping-Heng Tan, Min Kan, Ji Feng, Qiang Sun, Zhongfan Liu. Nano Letters, 2013, vol .13, no. 8, pp. 3870-3877. DOI: 10.1021/nl401938t