КРЕМНИЙ-НИОБИЕВЫЕ БЛОКИ ДЛЯ КОНСТРУИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ

N. А. Borshch; N. S. Pereslavtseva; S. I. Kurganskii

doi:10.17308/kcmf.2018.20/511

N. А. Borshch Борщ Надежда Алексеевна – к. ф.-м. н., доцент, кафедра высшей математики и физико-математического моделирования, Воронежский государственный технический университет; тел.:+7(473) 2464222, e-mail: n.a.borshch@ya.ru
N. S. Pereslavtseva Переславцева Наталья Сергеевна – к. ф.-м. н., доцент, кафедра прикладной математики и механики, Воронежский государственный технический университет; тел.:+7(473) 2545475, e-mail: nsper@ya.ru
S. I. Kurganskii Курганский Сергей Иванович – д. ф.-м. н., профессор, кафедра физики твердого тела и наноструктур, Воронежский государственный университет; тел.:+7(473) 2208363, e-mail: kurganskii@phys.vsu.ru

DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/511

Ключевые слова: теория функционала плотности, атомные кластеры, электронная структура, наноматериалы.

Аннотация

Представлены результаты компьютерного моделирования пространственной структуры анионных кремний-ниобиевых кластеров из 10, 12, 14 и 16 атомов кремния. Для каждого кластера представлен ряд стабильных изомеров с качественно различной структурой, которые могут служить элементарными блоками для построения более крупных наноструктурированных объектов – нанопроволок, нанопроводов, нанокристаллов.

Для представленных расчетов были использованы вычислительные ресурсы Суперкомпьютерного центра Воронежского государственного университета.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

Kroto H. W., Heath J. R., O’Brien S. C., Curl R. F. Smalley R. E. Nature, 1985, vol. 318, pp. 162-163. DOI: 10.1038/318162a0
2. Hiura H., Miyazaki T., Kanayama T. Phys. Rev. Lett., 2001, vol. 86, pp. 1733-1736. DOI: 10.1103/PhysRevLett.86.1733
3. Reveles J. U., Khanna S. N. Phys. Rev. B, 2006, vol. 74(3), pp. 035435 – 035440. DOI: 10.1103/PhysRevB.74.035435
4. Guo L., Zhao G., Gu Y., Liu X., Zeng Z. Phys. Rev. B, 2008, vol. 77, pp. 195417 – 195424. DOI: 10.1103/PhysRevB.77.195417
5. Borshch N., Kurganskii S. Journal of Applied Physics, 2014, vol. 116, no. 12, pp. 124302-1 – 124302-8. DOI: 10.1063/1.4896528
6. Borshch N. A., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Physics of the Solid State, 2014, vol. 56, no. 11, pp. 2336-2342. DOI: 10.1134/S1063783414110055
7. Palagin D., Reuter K. ACS Nano, 2013, vol. 7 (2), pp. 1763–1768. DOI: 10.1021/nn3058888
8. Lu A. Journal of Modern Physics, 2013, vol. 4, pp. 501 – 504. DOI: 10.4236/jmp.2013.44071
9. Mpourmpakis G., Froudakis G. E., Andriotis A. N., Menon M. Phys. Rev. B, 2003, vol. 68, pp. 125407-1 – 125407-5. DOI: 10.1103/PhysRevB.68.125407
10. Kasper J. S., Hagenmuller P., Pouchard M., Cros C. Science, 1965, vol. 150, pp. 1713 – 1716. DOI: 10.1126/science.150.3704.1713
11. Kurganskii S. I., Borshch N. A., Pereslavtseva N. S. Semiconductors, 2005, vol. 39, no. 10, pp. 1176-1181. DOI: 10.1134/1.2085266
12. Borshch N. A., Pereslavtseva N. S., Kurganskii S. I. Semiconductors, 2011, vol. 45, no. 6, pp. 713-723. DOI: 10.1134/S1063782611060066
13. Borshch N.A., Pereslavtseva N.S., Kurganskii S.I. Semiconductors, 2009, vol. 43, no. 5, pp. 563-567. DOI: 10.1134/S106378260
14. Lee C., Yang W., Parr R. G. Phys. Rev. B, 1988, vol. 37, pp. 785-789. DOI: 10.1103/PhysRevB.37.785
15. Wachters A. J. H. J. Chem. Phys., 1970, vol. 52, pp. 1033 – 1036. DOI: 10.1063/1.1673095
16. Godfrey S. M., Hinchliffe A. J. Mol. Struct. Theochem, 2006, vol. 761, pp. 1 – 5. DOI: 10.1016/j.theochem.2005.11.029
17. Gaussian 09, Revision B09; Gaussian, Inc: Pittsburg, PA, 2009.
18. Koyasu K., Atobe J., Furuse S., Nakajima A. J. Chem. Phys., 2008, vol. 129, pp. 214301 – 214307. DOI: 10.1039/c2cp23247b