ПЛОТНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ В ПЛЕНКАХ PbTe, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ Si (100) И BaF2 (100) МОДИФИЦИРОВАННЫМ МЕТОДОМ «ГОРЯЧЕЙ СТЕНКИ»

Alexander M. Samoylov; Sergey V. Belenko; Boris A. Siradze; Anton S. Toreev; Alexey I. Dontsov; Irina V. Filonova

Alexander M. Samoylov Самойлов Александр Михайлович — д. х. н., профессор кафедры материаловедения и индустрии нано- систем, Воронежский государственный университет; тел.: (4732) 596515, e-mail: samoylov@chem.vsu.ru
Sergey V. Belenko Беленко Сергей Владимирович — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет
Boris A. Siradze Сирадзе Борис Автандилович — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронеж- ский государственный университет
Anton S. Toreev Тореев Антон Сергеевич — студент кафедры мате- риаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет
Alexey I. Dontsov Донцов Алексей Игоревич — аспирант кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет
Irina V. Filonova Филонова Ирина Владимировна — магистрант ка- федры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет

Ключевые слова: дислокация, кристаллическая структура, теллурид свинца, кремний, фторид бария, гетероэпитаксия из паровой фазы, гетероструктуры, метод «фигур травления», рентге- нографический анализ.

Аннотация

Цель работы заключается в сравнительном изучении влияния степени структурного совершенства подложек Si (100) и BaF2 (100) и качества их предэпитаксиальной подготовки на величину скалярной плотности дислокаций в пленках PbTe, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» при одинаковых технологических режимах. Установлено, что величина плотности дислокаций зависит, главным образом, от степени структурного совершенства кристаллической структуры подложки и от величины несоответствия периодов идентичности. Качество предэпитаксиальной подготовки влияет на величину плотности дислокаций только для подложек из одного и того же материала. Выдвинуто предположение относительно механизмов роста пленок PbTe на подложках Si (100) и BaF2 (100).

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Литература

1. Lead Chalcogenides: Physics and Applications / Ed. D. Khohlov. New York: Gordon & Breach, 2002. 687 p.
2. Mukherjee S. et al. // Transworld Research Network: Kerala, India, 2010. 88 p.
3. Зимин С.П., Горлачев Е.С. Наноструктурированные халькогениды свинца. Ярославль: Изд-во ЯрГУ, 2011. 232 с.
4. Zogg H., Fach A., Maissen C. et al. // Optical Engineering. 1994. V. 33. № 5. P. 1440—1449.
5. Иевлев В. М. Тонкие пленки неорганических материалов: механизмы роста и структура. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2008. 496 с.
6. Zogg H. et al. // J. of Electronic Materials. 2008. V. 37. № 9. P. 1497—1503.
7. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия, 1974. 528 с.
8. JCPDS — International Centre for Diffraction Data [Электронные ресурсы]. 1987—2008. JCPDS-ICDD. Newtown Square, PA 19073. USA.
9. Карасевская О. П. и др. // Заводская лаборатория. 1995. № 3. С. 18—20.
10. Кривоглаз М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука. 1967. 325 c.
11. Ugai Ya. A., Samoylov A. M. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 336. P. 196—200.
12. Уманский Я. С. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 432 c.
13. Handbook of semiconductor technology: / ed. K. A. Johnson and W. Schrötter. Weinheim — New York — London.: Wiley VCH, 2001. V. 2. 764 p.
14. Свешникова Л.Л. Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов для дифторида бария. Авторское свидетельство № 1281085, 1.09.1986 г.
15. Бестаев М.В. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. № 8. С. 980—982.